Les Etats-Unis ont multiplié les mesures ces dernières années pour empêcher la Chine de progresser trop vite dans les puces, de leur conception à leur production, et éviter de voir les technologies d'origine américaine être utilisées à des fins militaires et retournées contre ses intérêts.
C'est aussi un moyen de garder une longueur d'avance dans de nombreux domaines en empêchant l'accès aux puces les plus efficientes. Cela peut être particulièrement efficace pour certains secteurs comme l'intelligence artificielle qui nécessite des puces gravées finement réunies en vastes clusters pour fournir la puissance de traitement nécessaire.
Les USA ont déjà pris des mesures pour freiner l'avancée de la Chine en matière d'IA en bloquant les exportations de puces et composants au-delà d'une certaine capacité de calcul et en freinant sa capacité à développer ses propres puces.
Les transistors GAA, nouvelle frontière
Malgré tout, la démonstration d'une capacité de gravure en 7 nm par le groupe chinois Huawei et le fondeur SMIC fin 2023, alors qu'on ne les attendait pas en-dessous de 14 nm, a souligné combien la Chine était prête à tout pour passer outre les restrictions qui lui sont imposées, même dans des conditions dégradées (utilisation d'équipements d'ancienne génération, faibles rendements...).
Face à cettte situation, et alors que l'industrie chinoise pourrait descendre sur des noeuds encore plus bas en bidouillant les équipements, le gouvernement américain étudie de nouvelles pistes pour freiner plus sensiblement la Chine.
Selon Bloomberg, cela passera par l'interdiction d'utiliser la technologie des transistors GAA (Gate All Around) que commencent ou vont commencer à exploiter les grands fondeurs.
Tout faire pour freiner la Chine dans l'IA
Déjà utilisée par Samsung depuis 2022 pour sa gravure en 3 nm et bientôt exploitée par TSMC lorsque la firme proposera une gravure en 2 nm, elle vient remplacer les transistors FinFET utilisés jusqu'à présent sur les noeuds supérieurs en offrant un design répondant mieux aux exigences de la gravure fine
Les transistors FinFET ont pu être utilisés pour descendre jusqu'à 3 nm mais pour aller en-dessous, il faudra forcément passer par des transistors plus efficaces comme le GAA et cela pourrait donc constituer un nouveau point de blocage, après celui de l'interdiction d'exportation d'équipements de lithographie EUV.
Bloomberg précise toutefois que les autorités américaines en sont seulement à évaluer les conséquences d'une telle décision, sans l'avoir encore actée. L'accélération de la course à la puissance des modèles d'IA et l'engouement très net de la Chine pour tout ce qui touche à l'intelligence artificielle pourraient rapidement pousser à des décisions fortes.
