Hynix Semiconductor, groupe sud-coréen qui se positionne en tant que numéro deux mondial sur le marché des puces mémoire et sixième acteur mondial dans les semi-conducteurs, vient de s'associer avec l'étasunien Grandis pour la mise au point d'une nouvelle mémoire.

Utilisant la technologie STT-RAM ( Spin-Transfer Torque Random Access Memory ) dont Grandis détient le brevet, cette mémoire non volatile utilisera des finesses de gravure inférieures à 40 nanomètres. Selon Hynix, ce type de mémoire consommera beaucoup moins d'énergie que les mémoires actuelles, permettra de meilleures performances en vitesses d'écriture et de lecture et bénéficiera d'une durée de vie plus importante. Sans oublier le fait que les procédés de fabrication s'avèrent bien moins coûteux.

Sung Wook Park, chef de la Division Recherche & Développement de Hynix, explique cette association par le fait que " Grandis est leader dans la technologie STT-RAM et dispose d'un large portefeuille de brevets fondamentaux dans ce domaine ", tandis que Farhad Tabrizi, PDG de Grandis, y voit le moyen d'accélérer l'entrée de sa mémoire nouvelle génération sur le marché. Sans donner plus de précision à ce sujet, Hynix a annoncé qu'il investirait la bagatelle de 261,7 millions d'euros.