La fin des années 2010 et le début des années 2020 ont été plutôt favorables au fondeur taiwanais TSMC en matière de gravure de composants. En récupérant l'immense client qu'est Apple et en allant vite pour descendre dans les noeuds de gravure, la firme s'est imposée comme un puissant leader mondial, aidée également par le gouvernement taiwanais qui en a fait une ressource stratégique et appuie ses développements.
Le groupe Samsung a bien tenté de se frotter à ce concurent redoutable via sa branche Samsung Foundry mais, en dehors des composants mémoire dont il est le principal pourvoyeur, difficile de rivaliser avec le groupe taiwanais.
Le géant coréen a pourtant une stratégie K-Chip visant à devenir le maître du segment de la production de composants électroniques d'ici 2030 et cela passera par des techniques de gravure toujours plus affinées et proposées rapidement pour déstabiliser la concurrence et attirer les gros clients.
Samsung prêt pour la gravure en 2 nm GAA dès 2025
La technique ne fait pas tout et les problématiques de rendement ont pénalisé les dernières techniques proposées par Samsung mais ce dernier a tout de même l'avantage d'avoir déployé et soumis à l'expérience industrielle réelle des technologies innovantes comme les transistors GAA (Gate All Around) dès la gravure en 3 nm quand TSMC ne le fera que pour le 2 nm, préférant rester sur une technologie FinFET éprouvée mais arrivant aux limites de ses possibilités.
Samsung compte s'appuyer sur cet avantage technique et cette première expérience pour aller vite sur les noeuds de gravure suivants. Sa branche Samsung Foundry annonce ainsi être en mesure de proposer de la gravure en 2 nm dès 2025 et sur de la gravure en 1,4 nm à partir de 2027.
La gravure en 2 nm (procédé SF2) promet une amélioration des performances de 12% par rapport au 3 nm, avec une consommation d'énergie réduite de 25% et une surface réduite de 5%, annonce déjà l'entreprise.
Intel de retour sur le front de la gravure fine
Le procédé sera aussi ouvert à de nombreuses applications : mémoires LPDDR5x et HBM3P, PCiE Gen 6 et communications SerDes (Serializer / Deserializer) pour intéresser un maximum de clients et ouvrir le champ des opportunités.
En s'avançant à un lancement de la production en masse en 2 nm dès 2025, Samsung sera une nouvelle fois en confrontation directe avec TSMC qui compte se lancer sur la même période mais peut-être une nouvelle fois avec plusieurs mois de décalage.
Mais il faudra aussi composer avec un acteur sur le retour : Intel dont le service de fonderie à la demande IFS compte proposer de la gravure en 2 nm dès 2024 avec son procédé Intel 20A, puis du 1,8 nm (Intel 18A) en 2025.
