La GDDR5 a atteint ses limites théoriques depuis quelques années, pourtant les remplaçants ne se bousculent pas. On note certes la diffusion de la GDDR5X qui constitue une évolution mineure, mais aucune autre technologie ne s'impose encore comme un véritable bond technologique pour les cartes graphiques.

Samsung, Micron et SK Hynix développent ainsi la GDDR6 qui viendra remplacer la GDDR5, la GDDR5X et qui pourrait tout simplement contrer la HBM2 qui s'installe sur quelques solutions comme la Tesla P100 ou des versions spécifiques de cartes Radeon Vega RX.

Samsung GDDR6

On sait que Samsung et Micron alimentent déjà Nvidia en RAM depuis des années, l'idée de voir la GDDR6 sur des cartes de la marque est donc une évidence. Pour ce qui est d'AMD, on pouvait se demander si la firme ne souhaitait pas se démarquer en basculant plus largement vers l'intégration de mémoire HBM2... Jusqu'à ce qu'une annonce soit publiée par le fondeur sur LinkedIn, indiquant la recherche d'un ingénieur capable de travailler sur un contrôleur GDDR6.

AMD pourrait ainsi miser sur les deux tableaux et adopter la GDDR6 sur l'ensemble de ses cartes dès 2018 avec toutefois des modèles haut de gamme équipés de mémoire HBM2.

Selon les standards adoptés par les fabricants, la GDDR6 mise sur 8 banques de mémoire avec deux variantes 8 ou 16 Gbit. Les performances comparées à la GDDR5X sont bien supérieures : 12-14 Gb/s (soit 6000 à 7000 MHz effectifs) avec une limite théorique identique fixée à 16 Gb/s.

Les constructeurs ont déjà lancé, pour certain comme Samsung, la production de modules de 2 Go en GDDR6 depuis mi-novembre. La marque évoque des modules à 16 Gb/s ne consommant que 1,35 volt, chaque module offrant une bande passante théorique de 64 Go/s.

Le CES de Las Vegas de janvier prochain sera certainement l'occasion pour les constructeurs d'en dévoiler davantage sur cette technologie, et pour les fabricants de cartes graphiques d'évoquer les premières cartes équipées de ces modules mémoire.