Technologie GaNFast : temps de charge trois fois plus rapide avec des appareils deux fois plus petits

Navitas Semiconductor développe des circuits intégrés d'alimentation GaN. Plutôt que des composants classiques au silicium, c'est donc le recours au nitrure de gallium qui a été utilisé avec un processus de fabrication exploitant des transistors à effet de champ GaN permettant une miniaturisation par rapport aux plus traditionnels transistors MOFSET.

Avec la technologie GaNFast, Navitas Semiconductor couvre un panel de besoins pour tout un ensemble de chargeurs et adaptateurs. Mais la miniaturisation n'est pas le seul enjeu, puisque les promesses portent également sur l'amélioration de l'efficacité énergétique et des coûts réduits.

Le groupe a par exemple déjà fait la démonstration de petits équipements avec de l'USB Power Delivery capables de fournir cinq heures d'autonomie en seulement cinq minutes de charge. Globalement, la technologie GaNFast permettrait un temps de charge trois fois plus rapide avec des appareils deux fois plus petits.

Le fabriquant Aukey s'est très vite positionné sur cette nouveauté et annonce tirer parti de la technologie GaNFast pour trois produits qui seront disponibles vers la fin janvier 2019.

En l'occurrence, il s'agit d'un chargeur mural USB-C en 27 Watts (PA-Y19), un chargeur mural USB-C en 30 Watts (PA-Y21) et un chargeur mural deux ports USB en 24 Watts (PA-U50). Il faudra attendre les premiers tests pour juger de l'efficacité du chargement rapide.