Après avoir collaboré avec Samsung sur la gravure en 14 nm, GlobalFoundries a fait l'impasse sur le 10 nm pour mieux se concentrer sur le noeud de gravure suivant et peaufiner les exigences des technologie d'un noeud de gravure encore plus fin et qui demandera l'utilisation de la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet).
Le fondeur avait détaillé son projet de passage du 14 nm au 7 nm durant l'automne et il vient d'annoncer que le projet avance bien et respectera le calendrier prévu. Cela implique une gravure en 7 nm FinFET LP (Leading Perfomance), ou 7LP, en préproduction dès le premier semestre 2018 et une production de masse possible au second semestre l'an prochain.
GlobalFoundries : principe du transistor 3D pour le 7LP
La gravure 7LP devrait finalement offrir des performances améliorées de plus de 40% par rapport au 14 nm, pour une empreinte divisée par deux pour des composants toujours plus compacts.
Déjà, GlobalFoundries pense à la suite et est partenaire des travaux de recherche d'IBM sur la gravure en 5 nm employant non pas des transistors 3D FinFET mais des transistors GaaFET (Gate-All-Around) constitués de nanofeuilles de silicium qui apporteront des gains en termes de performances et de réduction de consommation d'énergie supérieurs par rapport au FinFET.
En attendant, GlobalFoundries annonce un investissement dans deux coûteux systèmes de lithographie EUV qui permettront d'accélérer la phase de production de masse du 7LP une fois le process finalisé.
