La course à la miniaturisation des processeurs est relancée avec les annonces des géants Intel et IBM, promettant plus de puissance et meilleure gestion de l'énergie. Si le dioxyde de silicium avait servi d'isolant pour les transistors jusqu'à présent, la finesse de gravure atteinte actuellement ne permet plus une protection suffisante contre les courants de fuite.

En modifiant la nature du substrat d'isolation par des alliages métalliques, dont l'oxyde d'hafnium, la gravure en 45 nm devient possible. Intel prévoit de commencer la production à partir du second semestre 2007, tandis qu'IBM sera en mesure de présenter son produit au premier trimestre 2008.

Wafer 300 mm grave 45 nm

Wafer 300 mm gravé en 45 nm, Intel


Les processeurs Intel en 45 nm devraient générer cinq fois moins de fuites d'énergie et améliorer ainsi l'autonomie pour des appareils mobiles, tout en assurant plus de puissance dans un plus petit volume, avec la possibilité de quasiment  doubler le nombre de transistors.

Cette avancée technologique sera au coeur de la prochaine génération des processeurs Intel Core 2, nom de code Penryn, qui sera compatible avec les systèmes d'exploitation Windows Vista, Mac OS X, Windows XP et Linux.


Deux géants face à face
Bien que certains analystes du secteur estiment qu'Intel maintient son avance de 6 à 9 mois sur la concurrence, ce qui expliquerait la primauté de production de processeurs en 45 nm, les représentants d'IBM contestent cette vision et clament que leur technologie, développée conjointement avec Advanced Micro Devices, le principal rival d'Intel, sera plutôt déployée dans des systèmes informatiques haute performance, plus complexes et demandant plus de temps de conception.

Quoi qu'il en soit, de nouvelles contraintes physiques viennent d'être balayées, et vont permettre à la loi de Moore, qui veut que le nombre de transistors des processeurs double tous les deux ans, de se vérifier une nouvelle fois.