Intel et Micron produisent de la NAND 3D QLC à 4 bits par cellule

Le par  |  14 commentaire(s) Source : TechReport
Micron 5210 QLC

Intel annonce être désormais en mesure de produire des modules de mémoire NAND 3D QLC, à 4 bits par cellule. De son côté, son partenaire Micron annonce un disque SSD Micron 5210 ION embarquant justement pour la première fois des modules NAND 3D QLC.

La mémoire NAND 3D QLC (Quad-Level Cell) à 4 bits par cellule sort finalement des laboratoires et promet une densité un tiers supérieure à celle des actuelles mémoires TLC (Triple-Level Cell, à 3 bits par cellule), utilisées dans les SSD récents.

Intel et Micron annoncent être passés à la phase de production avec un module mémoire NAND 3D en 64 couches atteignant une densité de 1 Tb (125 Go) par die. Dans le même temps, les deux entreprises évoquent la préparation de modules NAND 3D TLC  en 96 couches qui maintiendra leur leadership en matière de densité en Gb / mm2.

Micron QLC

Ces nouvelles mémoires NAND 3D 64 couches QLC permettront de concevoir des solutions de stockage toujours plus compactes. Et justement, Micron en a profité pour annoncer un SSD Micron 5210 ION présenté comme étant le premier à exploiter de la NAND QLC.

Micron 5210 QLC

Au format 2,5 pouces, il offre des capacités allant de 1,92 To à 7,68 To et se destine aux besoins de stockage en datacenters. Mais s'il offre des avantages en matière de compacité et de consommation d'énergie, le site TechReport note que la NAND QLC est aussi plus sensible aux cycles d'écriture/effacement que la NAND TLC (1000 cycles pour le QLC avant défaillance, 3000 pour le TLC), ce qui destine ce genre de solution à du stockage de données mais pas forcément à des opérations d'écriture / réécriture de données en continu.

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Vos commentaires Page 1 / 2

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Le #2014742
La TLC c'était déjà pas terrible niveau cycles... Alors de la QLC... Non merci.
Le #2014746
Cela dépend de la marque et du model mais je suis assez sceptique aussi, j’achète déjà pas des TLC...

Après crucial garanti 220TB sur les MX300 mais je ne sais pas si ils les tiennent ni si ça a été testé de manière indépendante ... ni si il y a qqun qui a envie de perdre du temps à le faire
Le #2014748
Safirion a écrit :

La TLC c'était déjà pas terrible niveau cycles... Alors de la QLC... Non merci.


Même avis. On verra s'ils améliorent les bandes passantes I/O dans l'avenir
Le #2014762
Je pensais betement que plus c'était dense, mieux c'était............
Le #2014764
Narcos a écrit :

Je pensais betement que plus c'était dense, mieux c'était............


Bah, c'est mieux pour le stockage en lui-même, mais c'est moins pérenne...
Le #2014766
lebonga a écrit :

Narcos a écrit :

Je pensais betement que plus c'était dense, mieux c'était............


Bah, c'est mieux pour le stockage en lui-même, mais c'est moins pérenne...


Merci
Le #2014767
Lesnums ont fait un article là dessus en 2013 donc je vais les citer :

" Il existe ensuite trois types de mémoire. Plus on y stocke de bits, moins elles seront performantes et plus elles s'useront vite :
SLC, pour Single Layer Cell, 1 bit par cellule...
MLC, pour Multi Level Cell, 2 bits par cellule...
TLC, pour Triple Level Cell, 3 bits par cellule.. "


L'article complet: https://www.lesnumeriques.com/ssd/ssd-tout-savoir-tout-comprendre-a1630.html
Le #2014780
Jihel a écrit :

Cela dépend de la marque et du model mais je suis assez sceptique aussi, j’achète déjà pas des TLC...

Après crucial garanti 220TB sur les MX300 mais je ne sais pas si ils les tiennent ni si ça a été testé de manière indépendante ... ni si il y a qqun qui a envie de perdre du temps à le faire


Je viens de me prendre un 860 evo

J'ai regardé la page samsung sur la garantie:

5 Years or 300 TBW pour le modèle 500 Go pour < 110€ sur le shop hfr

Sinon j'ai encore mon Corsair F90 Sata II MLC, il continue tjrs a fonctionné dans mon pc portable

Un Corsair Force 240 GT Sata 3 que j'utilise actuellement mais il devient un peu juste mais il fonctionne très bien aussi
Le #2014781
Plus on stocke de bits par cellule, plus on est dense (et c'est donc moins cher à capacité donnée).
Mais d'un autre coté, cela veut dire que le circuit doit être capable de faire une lecture plus fine, ce qui veut dire que le risque de corruption est plus grand (donc moins d'endurance).

De plus, en pratique la cellule doit être lue plusieurs fois pour trouver la donnée enregistrée, ça baisse donc aussi les perfs.
Le #2014785
Vivement la génération CLC avec 10 cycles d'écritures !
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