Intel et Micron : de la mémoire NAND cinq fois plus rapide

Le par Christian D.  |  1 commentaire(s)
high speed NAND

Le nouveau type de mémoire NAND annoncé par Intel et Micron permet d'atteindre des débits de 200 Mo/s en lecture et de 100 Mo/s en écriture.

high speed NANDPetite révolution dans le monde de la mémoire non volatile NAND avec l'annonce faite conjointement par Intel et Micron. Leur nouveau module de mémoire Flash NAND apporte une solution à la "lenteur" attribuée à ce type de mémoire en multipliant par cinq les vitesses de transfert.

Ainsi, les vitesses de transfert obtenues sont de l'ordre de 200 Mo/s en lecture et 100 Mo/s en écriture, contre 40 Mo/s en lecture et 20 Mo/s en écriture jusqu'à présent, et ceci en utilisant la spécification ONFI 2.0 ( Open NAND Flash Interface ) et une nouvelle architecture.


Pour des applications adaptées aux nouveaux besoins
Il s'agit maintenant de mettre en place un écosystème pour déployer cette mémoire NAND high speed qui saura trouver une place de choix dans les disques SSD ( Solid State Drive ), un marché en pleine expansion. Elle peut également servir à optimiser les performances des ordinateurs via l'interface NVMHCI ( Non-Volatile Memory Host Interface ).

D'autre part, de nombreux produits mobiles auront besoin de mémoire NAND pouvant transférer plus rapidement de grandes quantités de données, comme des flux vidéo en streaming ou des transferts de fichiers multimédia volumineux.

Enfin, la mémoire NAND high speed pourra tirer parti de la prochaine interface USB 3.0, qui doit offrir des débits de 4,8 Gbps, soit dix fois les débits offerts par l' USB 2.0, et pour laquelle la mémoire NAND conventionnelle constituerait un goulot d'étranglement.
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Le #196279
Ca va changer la face du stockage de données <img src="/img/emo/cool.gif" alt="8:" />
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