Numonyx logo C'est début 2008 que STMicroelectronics et Intel avaient présenté Alverstone, leur premier prototype de mémoire à changement de phase ( PCM ), appelée également PRAM. Moins gourmande en énergie et plus beaucoup plus rapide que les mémoires Flash actuelles, elle représente l'un des futurs possibles de la mémoire non volatile.

C'est donc tout naturellement que Numonyx, la co-entreprise regroupant les activités de mémoire Flash des deux sociétés, pour constituer un poids lourd dans le domaine des mémoires, a repris le flambeau et a annoncé en fin de semaine dernière les premières livraisons de mémoire PRAM 128 Mbits ( 16 Mo ) à ses clients.


Premiers pas de la PCM, mémoire non volatile de nouvelle génération
Gravée en 90 nm, elle a demandé quatre ans de développement et n'utilise pas le même principe que les mémoires NAND et NOR. Dans son cas, c'est le changement d'état d'une substance ( modification de sa nature cristalline ) qui altère sa conductivité et crée l'équivalent du 0 et du 1 binaire.

Elle a connu quelques retards pour en améliorer la conception, mais 2008 était un objectif clair pour son lancement. " En février, nous promettions de lancer la production en 2008 et nous l'avons fait ", se félicite ainsi Glen Hawk, vice-président de la division Embedded de Numonyx.

Le principe de la PRAM remonte en fait aux années 1960 sous la direction de Stanford Ovshinsky, dont Alverstone est une application directe. La PRAM 128 Mbits proposée par Numonyx doit servir de remplacement pour les usages de mémoire NOR.

Elle offre des vitesses de lecture et d'écriture supérieures tout en consommant moins d'énergie et en conservant son information durablement, contrairement à la RAM. La gravure en 90 nm n'est qu'une première étape : Numonyx prévoit déjà des séries en 45 nm dès le second semestre 2009, sautant ainsi la transition d'une gravure en 65 nm.
Source : EE Times