Salut !
Lors de description de barette DDR il y a souvent une serie de 4 chiffres
(ex: 2.2.3.8 !!!!)
A quoi ces chiffres correspondent-ils ?
De plus j'entends parler de "CAS 2" ou CAS "2.5". Qu'est ce que c'est ????
Je ne connais pas encore la DDR (je suis toujours en SDRAM) mais je prepare
le changement.
Merci
@+
Deni
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too boring !
"Den's" <ecrire_a_denis@youpi.fr> a écrit dans le message de
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too boring !
Vincent
salut,
Un peut de théorie.
DRAM PM
La DRAM (Dynamic RAM, RAM dynamique) est le type de mémoire le plus répandu au début du millénaire. Il s'agit d'une mémoire dont les transistors sont rangés dans une matrice selon des lignes et des colonnes. Un transistor, couplé à un condensateur donne l'information d'un bit. 1 octet comprenant 8 bits, une barrette de mémoire DRAM de 256 Mo contiendra donc 256000000*8 bits soit 2 048 000 000 (256000000*8) transistors. Ce sont des mémoires dont le temps d'accès est de 60ns.
D'autre part, les accès mémoire se font généralement sur des données rangées consécutivement en mémoire. Ainsi le mode d'accès en rafale (burst mode) permet d'accèder aux trois données consécutives à la première sans temps de latence supplémentaire. Dans ce mode en rafales, le temps d'accès à la première donnée est égale au temps de cycle auquel il faut ajouter le temps de latence, et le temps d'accès aux trois autres données est uniquement égal aux temps de cycle, on note donc sous la forme X-Y-Y-Y les quatre temps d'accès, par exemple la notation 5-3-3-3 indique une mémoire pour laquelle 5 cycles d'horloge sont nécessaires pour accéder à la première donnée et 3 pour les suivantes.
DRAM FPM
Pour accélérer les accès à la DRAM, il existe une technique, appelée pagination consistant à accèder à des données situées sur une même colonne en modifiant uniquement l'adresse de la ligne, ce qui permet d'éviter la répétition du numéro de colonne entre la lecture de chacune des lignes. On parle alors de DRAM FPM (Fast Page Mode). La FPM permet d'obtenir des temps d'accès de l'ordre de 70 à 80 nanosecondes pour une fréquence de fonctionnement pouvant aller de 25 à 33 Mhz.
DRAM EDO
La DRAM EDO (Extended Data Out, soit Sortie des données amélioré parfois également appelé "hyper-page") est apparue en 1995. La technique utilisée avec ce type de mémoire consiste à adresser la colonne suivante pendant la lecture des données d'une colonne. Cela crée un chevauchement des accès permettant de gagner du temps sur chaque cycle. Le temps d'accès à la mémoire EDO est donc d'environ 50 à 60 nanosecondes pour une fréquence de fonctionnement allant de 33 à 66 Mhz.
Ainsi, la RAM EDO, lorsqu'elle est utilisée en mode rafale permet d'obtenir des cycles de la forme 5-2-2-2, soit un gain de 4 cycles sur l'accès à 4 données. Dans la mesure où la mémoire EDO n'acceptait pas des fréquences supérieures à 66 Mhz, elle a disparu au bénéfice de la SDRAM.
SDRAM
La SDRAM (Synchronous DRAM, traduisez RAM synchrone), apparue en 1997, permet une lecture des données synchronisée avec le bus de la carte-mère, contrairement aux mémoires EDO et FPM (qualifiées d'asynchrones) possèdant leur propre horloge. La SDRAM permet donc de s'affranchir des temps d'attente dûs à la synchronisation avec la carte-mère. Celle-ci permet d'obtenir un cycle en mode rafale de la forme 5-1-1-1, c'est-à-dire un gain de 3 cycles par rapport à la RAM EDO. De cette façon la SDRAM est capable de fonctionner avec une cadence allant jusqu'à 150Mhz, lui permettant d'obtenir des temps d'accès d'environ 10ns.
DDR-SDRAM
La DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM) est une mémoire basée sur la technologie SDRAM, permettant de doubler le taux de transfert de la SDRAM à fréquence égale.
DR-SDRAM (Rambus DRAM)
La DR-SDRAM (Direct Rambus DRAM ou encore RDRAM) est un type de mémoire permettant de transférer les données sur un bus de 16 bits de largeur à une cadence de 800Mhz, ce qui lui confère une bande passante de 1,6 Go/s. Comme la SDRAM, ce type de mémoire est synchronisé avec l'horloge du bus pour améliorer les échanges de données. En contrepartie, la mémoire RAMBUS est une technologie propriétaire, ce qui signifie que toute entreprise désirant construire des barrettes de RAM selon cette technologie doit reverser des droits (royalties) aux sociétés RAMBUS et Intel.
Vincent. ( source : www.commentcamarche.com )
"Den's" a écrit dans le message de news:bfdrno$77g$
Salut ! Lors de description de barette DDR il y a souvent une serie de 4 chiffres (ex: 2.2.3.8 !!!!) A quoi ces chiffres correspondent-ils ? De plus j'entends parler de "CAS 2" ou CAS "2.5". Qu'est ce que c'est ???? Je ne connais pas encore la DDR (je suis toujours en SDRAM) mais je prepare
le changement. Merci @+ Deni
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salut,
Un peut de théorie.
DRAM PM
La DRAM (Dynamic RAM, RAM dynamique) est le type de mémoire le plus répandu
au début du millénaire. Il s'agit d'une mémoire dont les transistors sont
rangés dans une matrice selon des lignes et des colonnes. Un transistor,
couplé à un condensateur donne l'information d'un bit. 1 octet comprenant 8
bits, une barrette de mémoire DRAM de 256 Mo contiendra donc 256000000*8
bits soit 2 048 000 000 (256000000*8) transistors. Ce sont des mémoires dont
le temps d'accès est de 60ns.
D'autre part, les accès mémoire se font généralement sur des données rangées
consécutivement en mémoire. Ainsi le mode d'accès en rafale (burst mode)
permet d'accèder aux trois données consécutives à la première sans temps de
latence supplémentaire. Dans ce mode en rafales, le temps d'accès à la
première donnée est égale au temps de cycle auquel il faut ajouter le temps
de latence, et le temps d'accès aux trois autres données est uniquement égal
aux temps de cycle, on note donc sous la forme X-Y-Y-Y les quatre temps
d'accès, par exemple la notation 5-3-3-3 indique une mémoire pour laquelle 5
cycles d'horloge sont nécessaires pour accéder à la première donnée et 3
pour les suivantes.
DRAM FPM
Pour accélérer les accès à la DRAM, il existe une technique, appelée
pagination consistant à accèder à des données situées sur une même colonne
en modifiant uniquement l'adresse de la ligne, ce qui permet d'éviter la
répétition du numéro de colonne entre la lecture de chacune des lignes. On
parle alors de DRAM FPM (Fast Page Mode). La FPM permet d'obtenir des temps
d'accès de l'ordre de 70 à 80 nanosecondes pour une fréquence de
fonctionnement pouvant aller de 25 à 33 Mhz.
DRAM EDO
La DRAM EDO (Extended Data Out, soit Sortie des données amélioré parfois
également appelé "hyper-page") est apparue en 1995. La technique utilisée
avec ce type de mémoire consiste à adresser la colonne suivante pendant la
lecture des données d'une colonne. Cela crée un chevauchement des accès
permettant de gagner du temps sur chaque cycle. Le temps d'accès à la
mémoire EDO est donc d'environ 50 à 60 nanosecondes pour une fréquence de
fonctionnement allant de 33 à 66 Mhz.
Ainsi, la RAM EDO, lorsqu'elle est utilisée en mode rafale permet d'obtenir
des cycles de la forme 5-2-2-2, soit un gain de 4 cycles sur l'accès à 4
données. Dans la mesure où la mémoire EDO n'acceptait pas des fréquences
supérieures à 66 Mhz, elle a disparu au bénéfice de la SDRAM.
SDRAM
La SDRAM (Synchronous DRAM, traduisez RAM synchrone), apparue en 1997,
permet une lecture des données synchronisée avec le bus de la carte-mère,
contrairement aux mémoires EDO et FPM (qualifiées d'asynchrones) possèdant
leur propre horloge. La SDRAM permet donc de s'affranchir des temps
d'attente dûs à la synchronisation avec la carte-mère. Celle-ci permet
d'obtenir un cycle en mode rafale de la forme 5-1-1-1, c'est-à-dire un gain
de 3 cycles par rapport à la RAM EDO. De cette façon la SDRAM est capable de
fonctionner avec une cadence allant jusqu'à 150Mhz, lui permettant d'obtenir
des temps d'accès d'environ 10ns.
DDR-SDRAM
La DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM) est une mémoire basée sur la
technologie SDRAM, permettant de doubler le taux de transfert de la SDRAM à
fréquence égale.
DR-SDRAM (Rambus DRAM)
La DR-SDRAM (Direct Rambus DRAM ou encore RDRAM) est un type de mémoire
permettant de transférer les données sur un bus de 16 bits de largeur à une
cadence de 800Mhz, ce qui lui confère une bande passante de 1,6 Go/s. Comme
la SDRAM, ce type de mémoire est synchronisé avec l'horloge du bus pour
améliorer les échanges de données. En contrepartie, la mémoire RAMBUS est
une technologie propriétaire, ce qui signifie que toute entreprise désirant
construire des barrettes de RAM selon cette technologie doit reverser des
droits (royalties) aux sociétés RAMBUS et Intel.
Vincent. ( source : www.commentcamarche.com )
"Den's" <ecrire_a_denis@youpi.fr> a écrit dans le message de
news:bfdrno$77g$1@news-reader5.wanadoo.fr...
Salut !
Lors de description de barette DDR il y a souvent une serie de 4 chiffres
(ex: 2.2.3.8 !!!!)
A quoi ces chiffres correspondent-ils ?
De plus j'entends parler de "CAS 2" ou CAS "2.5". Qu'est ce que c'est ????
Je ne connais pas encore la DDR (je suis toujours en SDRAM) mais je
prepare
le changement.
Merci
@+
Deni
--
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---Pour toute reponse remplacer "youpi" par "yahoo"
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La DRAM (Dynamic RAM, RAM dynamique) est le type de mémoire le plus répandu au début du millénaire. Il s'agit d'une mémoire dont les transistors sont rangés dans une matrice selon des lignes et des colonnes. Un transistor, couplé à un condensateur donne l'information d'un bit. 1 octet comprenant 8 bits, une barrette de mémoire DRAM de 256 Mo contiendra donc 256000000*8 bits soit 2 048 000 000 (256000000*8) transistors. Ce sont des mémoires dont le temps d'accès est de 60ns.
D'autre part, les accès mémoire se font généralement sur des données rangées consécutivement en mémoire. Ainsi le mode d'accès en rafale (burst mode) permet d'accèder aux trois données consécutives à la première sans temps de latence supplémentaire. Dans ce mode en rafales, le temps d'accès à la première donnée est égale au temps de cycle auquel il faut ajouter le temps de latence, et le temps d'accès aux trois autres données est uniquement égal aux temps de cycle, on note donc sous la forme X-Y-Y-Y les quatre temps d'accès, par exemple la notation 5-3-3-3 indique une mémoire pour laquelle 5 cycles d'horloge sont nécessaires pour accéder à la première donnée et 3 pour les suivantes.
DRAM FPM
Pour accélérer les accès à la DRAM, il existe une technique, appelée pagination consistant à accèder à des données situées sur une même colonne en modifiant uniquement l'adresse de la ligne, ce qui permet d'éviter la répétition du numéro de colonne entre la lecture de chacune des lignes. On parle alors de DRAM FPM (Fast Page Mode). La FPM permet d'obtenir des temps d'accès de l'ordre de 70 à 80 nanosecondes pour une fréquence de fonctionnement pouvant aller de 25 à 33 Mhz.
DRAM EDO
La DRAM EDO (Extended Data Out, soit Sortie des données amélioré parfois également appelé "hyper-page") est apparue en 1995. La technique utilisée avec ce type de mémoire consiste à adresser la colonne suivante pendant la lecture des données d'une colonne. Cela crée un chevauchement des accès permettant de gagner du temps sur chaque cycle. Le temps d'accès à la mémoire EDO est donc d'environ 50 à 60 nanosecondes pour une fréquence de fonctionnement allant de 33 à 66 Mhz.
Ainsi, la RAM EDO, lorsqu'elle est utilisée en mode rafale permet d'obtenir des cycles de la forme 5-2-2-2, soit un gain de 4 cycles sur l'accès à 4 données. Dans la mesure où la mémoire EDO n'acceptait pas des fréquences supérieures à 66 Mhz, elle a disparu au bénéfice de la SDRAM.
SDRAM
La SDRAM (Synchronous DRAM, traduisez RAM synchrone), apparue en 1997, permet une lecture des données synchronisée avec le bus de la carte-mère, contrairement aux mémoires EDO et FPM (qualifiées d'asynchrones) possèdant leur propre horloge. La SDRAM permet donc de s'affranchir des temps d'attente dûs à la synchronisation avec la carte-mère. Celle-ci permet d'obtenir un cycle en mode rafale de la forme 5-1-1-1, c'est-à-dire un gain de 3 cycles par rapport à la RAM EDO. De cette façon la SDRAM est capable de fonctionner avec une cadence allant jusqu'à 150Mhz, lui permettant d'obtenir des temps d'accès d'environ 10ns.
DDR-SDRAM
La DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM) est une mémoire basée sur la technologie SDRAM, permettant de doubler le taux de transfert de la SDRAM à fréquence égale.
DR-SDRAM (Rambus DRAM)
La DR-SDRAM (Direct Rambus DRAM ou encore RDRAM) est un type de mémoire permettant de transférer les données sur un bus de 16 bits de largeur à une cadence de 800Mhz, ce qui lui confère une bande passante de 1,6 Go/s. Comme la SDRAM, ce type de mémoire est synchronisé avec l'horloge du bus pour améliorer les échanges de données. En contrepartie, la mémoire RAMBUS est une technologie propriétaire, ce qui signifie que toute entreprise désirant construire des barrettes de RAM selon cette technologie doit reverser des droits (royalties) aux sociétés RAMBUS et Intel.
Vincent. ( source : www.commentcamarche.com )
"Den's" a écrit dans le message de news:bfdrno$77g$
Salut ! Lors de description de barette DDR il y a souvent une serie de 4 chiffres (ex: 2.2.3.8 !!!!) A quoi ces chiffres correspondent-ils ? De plus j'entends parler de "CAS 2" ou CAS "2.5". Qu'est ce que c'est ???? Je ne connais pas encore la DDR (je suis toujours en SDRAM) mais je prepare
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