Le groupe Samsung poursuit ses avancées sur le segment des composants mémoire en annonçant la deuxième génération de sa mémoire HBM2 Aquabolt (High Bandwith Memory) en 8 Go assurant des performances optimisées.
Cette dernière, composée de 8 dies HBM2 de 8 Gigabit, est en mesure de fournir 2,4 Gbps par pin en 1,2 V, à comparer avec les 1,6 Gbps par pin en 1,2 V atteints par la première génération (Flarebolt) qui pouvait grimper jusqu'a 2 Gbps mais en 1,35 V.
Ces nouvelles caractéristiques permettent de revendiquer pour la nouvelle mémoire HBM2 8 Go une bande passante de 307 GBps, soit 9,6 fois plus que 8 Gb de GDDR5 et ses 32 GBps de bande passante.
Il suffira donc de 4 composants HBM2 Aquabolt en 8 Go pour atteindre 1,2 TBps de bande passante, avec une amélioration des performances des systèmes de 50% par rapport à de la mémoire HBM2 de première génération.
Grâce aux nouvelles technologies employées, notamment en matière de contrôle thermique, Samsung indique que la gamme Aquabolt devrait couvrir les besoins du marché pour plusieurs années, que ce soit dans le HPC (High Perfomance Computing), l'intelligence artificielle ou les GPU et accélérateurs.
