Gravure en 10 nm FinFET : Samsung lance la production de masse
Comme il l'avait fait pour le 14 nm, Samsung est le premier à annoncer officiellement le lancement de la phase de production de masse pour la gravure 10 nm FinFET que l'on retrouvera dans les processeurs mobiles haut de gamme de début 2017.
Après la guerre entre le 14 nm de Samsung et le 16 nm de TSMC, c'est de nouveau le géant coréen qui tire le premier en annonçant le lancement de la production de masse de processeurs mobiles avec sa technologie de gravure 10 nm FInFET.
Le groupe démarre dans les temps prévus ( la fin d'année 2016) et tente une nouvelle fois de griller la politesse au concurrent taiwanais TSMC, également engagé sur cette voie et sur le point de lancer aussi la phase de production en volume.
Avec sa gravure 10 nm LPE, le géant coréen promet des performances 27% supérieures par rapport au 14 nm et de 40% pour la consommation d'énergie, tout en réduisant l'empreinte des puces dans les appareils mobiles.
Déjà, Samsung pose les jalons pour l'arrivée de la gravure optimisée 10 nm LPP pour le second semestre 2017. En attendant, Samsung indique que les premiers composants exploitant sa nouvelle gravure 10 nm seront présents dans des produits dès le début de l'année prochaine.
On pense bien sûr à un éventuel SoC SnapDragon 830 chez Qualcomm pour début 2017 mais aussi à un SoC maison de Samsung comme l'Exynos 8895 qui pourrait se retrouver dans le smartphone Galaxy S8.
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Déjà en mesure de produire des composants en 10 nm FinFET LPE, Samsung annonce la finalisation de la deuxième génération de sa technologie de gravure qui va lui permettre de proposer du 10 nm LPP plus performant.
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