Les derniers processeurs mobiles du moment exploitent une gravure en 5 nm qui devrait passer à 4 nm dans les mois qui viennent puis 3 nm assez rapidement derrière.
Le groupe Samsung, via la filiale Samsung Foundry, est engagé dans cette course à la miniaturisation qui le met en concurrence avec le taiwanais TSMC, prompt à dégainer de nouvelles technologies de gravure pour conserver ses plus gros clients générateurs de larges volumes.
Dans cette bataille, et à ce niveau de finesse, les transistors 3D FinFET utilisés jusqu'à présent devront être remplacés par des GAAFET (Gate All Around) avec différentes variations selon les acteurs.
Gravure en 2 nm dès 2025
Chez Samsung, cela passera par une technologie MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) dont les principes ont été évoqués dès 2019 en même temps qu'un PDK (Product Design Kit) permettant à ses partenaires de réaliser de premières expérimentations.
Elle sera utilisée pour la gravure en 3 nm dont la première génération 3GAE sera prête pour la production de masse à fin 2022. Elle sera suivie d'une version optimisée 3GAP attendue fin 2023.
Ensuite, cette technologie sera utilisée pour de la gravure en 2 nm 2GAP dont la mise en production est prédite par Samsung pour 2025, indique le site AnandTech qui suggère que les puces gravées en 2 nm seront réellement disponibles à partirde 2026, en supposant que ce calendrier soit tenu.
De toute évidence, Samsung ne veut rien lâcher face à la cadence infernale de TSMC, qui va rester sur du FinFET pour sa gravure en 3 nm afin de gagner du temps, et entend ne pas faire de la figuration ces prochaines années.
