Avant de descendre encore plus bas vers le 10 nm, objet d'une nouvelle course contre la montre avec TSMC, le groupe coréen optimise son processus et passe à la troisième génération de gravure.
Après le 14 nm FinFET LPE (Low Power Early) puis le 14 nm FinFET LPP (Low Power Plus), utilisé pour les SoC Exynos 8890 et SnapDragon 820, le groupe annonce avoir terminé le développement du 14 nm FinFET LPC (Low Power Compact).
Cette troisième génération va permettre aux puces produites de consommer encore moins d'énergie que celles des générations précédentes tout en réduisant leur coût de production grâce à une réduction du nombre de masques nécessaires à leur gravure.
La gravure 14 nm FinFET LPC serait déjà entrée en phase pré-industrielle chez Samsung avec plusieurs centaines de milliers de wafers déjà produits. L'objectif est d'atteindre un mode de fabrication pérenne qui se poursuivra au-delà du passage au 10 nm ou même au 7 nm.
Car tous les clients de Samsung n'ont pas forcément besoin des dernières technologies de gravure pour leurs composants et le 14 nm est appelé à devenir une référence de long terme, comme le 28 nm avant lui, relève le site coréen ET News.
Avec un procédé de gravure stable et efficient, Samsung peut espérer continuer de gagner des clients au détriment des autres fondeurs ou profitant du fait qu'ils sont occupés avec de très gros clients...
