Samsung a annoncé avoir développé une version plus rapide de ses puces mémoires OneNAND. Les nouvelles puces offrent également une plus grande capacité. Ces améliorations ont été rendues possibles grâce à l'utilisation d'une finesse de gravure de 60nm.Les nouvelles puces OneNAND de 2Go doublent les capacités des composants mémoires actuels et proposent une vitesse d'écriture agmentée. Celle-ci passe ainsi de 9.3 Mo/s à 17Mo/s.
"Nous prévoyons un accroissement rapide de la demande pour notre mémoire OneNAND grâce à ses performances et à sa capacité exceptionnelle [...] depuis le passage à une finesse de gravure de 60nm" a souligné Don Barneston, Director, Flash Marketing, Samsung Semiconductor.
La mémoire OneNAND bénéficie des vitesses de lecture des mémoires flash de type NOR, des capacités importantes et des vitesses d'écriture des mémoires flash de type NAND. La mémoire OneNAND pourrait être utilisée dans des domaines aussi variés que la téléphonie mobile et les appareils photos numériques, les cartes mémoires, etc...
De plus, les puces peuvent être inter-connectées et accéder directement au système. Plus il y a de puces connectées, plus le volume de données traitées peut être important. Par exemple, la vitesse d'écriture des puces OneNAND peut atteindre 136 Mo/s lorsque huit puces de 2Go sont combinées.
La mémoire OneNAND peut être utilisée comme un cache en lecture et en écriture grâce à son haut niveau de performances dans les deux cas.
Samsung a déjà démontré une utilisation possible de ce type de mémoire au sein d'un disque dur hybride au cours du Microsoft WinHEC 2006.
