La technologie de gravure en 28 nm FD-SOI (Fully Depleted - Silicon on Insulator) a été poussée par la société française Soitec et est soutenue par le fondeur franco-italien STMicroelectronics qui a développé un écosystème complet que l'on retrouve dans les grands projets industriels français (Nano2017) comme européens (Places2Be).
Cette technique particulière, concurrente des architectures de transistors 3D comme le Tri-Gate d'Intel, permet de rester sur une structure planaire 2D et de concevoir des composants électroniques performants et moins gourmands en énergie.
Cette technologie vient d'être adoptée par le groupe Samsung Electronics qui compte l'exploiter sur ses sites de production et la proposer à ses clients, lui ouvrant la voie à une production de masse. Elle est déjà exploitée sur le site de production de wafers 300 mm de Crolles (région grenobloise) de ST.
La prise de licence porte sur "la technologie de fabrication ainsi que sur l'écosystème de conception développés par ST" tandis que "la technologie FD-SOI en 28 nm sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015".
Cet accord devrait notamment permettre d'accélérer la diffusion du FD-SOI dans l'industrie mobile et va faire les affaires de Soitec, qui a misé tôt sur cette orientation technologique des transistors et va pouvoir enfin rentabiliser ses efforts de R&D en partenariat avec le CEA-Leti, IBM et ST.
