Gravure en 10 nm : de faibles rendements initiaux qui risquent de retarder iPad et SnapDragon 835

En 2017, les processeurs mobiles devraient passer à un niveau de gravure plus fin avec le passage au 10 nm FinFET, venant succéder au 14 ou 16 nm FinFET utilisé jusque là. Plusieurs composants sont déjà annoncés en 10 nm, comme le SoC SnapDragon 835 de Qualcomm, le SoC Helio X30 de MediaTek et sans doute le SoC Exynos 8895 de Samsung.

Toutefois, les deux fondeurs pourraient être confrontés aux difficultés initiales de toute nouvelle mise en production : obtenir des rendements suffisants.

Or, selon Digitimes, tant Samsung que TSMC auraient des difficultés à améliorer ce paramètre, ce qui pourrait causer des retards dans les lancements les plus précoces des partenaires.

Cela pourrait notamment créer un retard dans le lancement des tablettes iPad attendu au printemps prochain, avec plusieurs modèles embarquant un nouveau SoC Apple A10X qui pourrait être gravé en 10 nm par TSMC, avant de passer à l'Apple A11 des iPhone 8.

Chez les clients de Samsung, c'est Qualcomm qui pourrait souffrir de faibles rendements en 10 nm. Son SoC SnapDragon 835, qui doit équiper nombre de smartphones haut de gamme dès le début de l'année 2017 pourrait être impacté par ces difficultés de production.

Digitimes suggère que d'autres puces, comme le SnapDragon 660 (pas encore officiellement annoncé) auraient pu être gravées en 10 nm mais que la prudence a conduit à opter finalement pour du 14 nm FinFET.

Il reste toutefois un peu de temps avant le lancement effectif des premiers composants en 10 nm et il reste possible que les fondeurs parviennent à optimiser ce paramètre d'ici les premiers lancements.