L'événement Flash Memory Summit de Santa Clara fait le point sur les avancées des fabricants de composants mémoire et du côté de Samsung, la nouveauté vient de sa mémoire flash NAND 3D, baptisée V-NAND.
Le groupe coréen annonce en effet un nouveau module de 1 Terabit (128 Go) en V-NAND, ce qui permettra de proposer dès l'an prochain des solutions de 2 Teraoctets en V-NAND en rassemblant 16 modules 1 Tb sur le même package qui pourront être utilisées dans les disques SSD.
Samsung annonce également ses premiers disques SSD de type NGSFF (Next Generation Small Form Factor) de 16 To pour un usage dans les serveurs. Compact (30,5 x 110 x 4,38 mm), ce format doit permettre d'augmenter de 4 fois la capacité de stockage par rapport à des disques M.2 sur serveur rack 1U.
Sur son système de référence assurant 576 To de stockage sur serveur rack 1U (avec 36 SSD de 16 To NGSFF), Samsung promet des performances de 10 millions d'IOPS, soit trois fois plus qu'avec un système similaire avec disques SSD 2,5 pouces montés en rack 1U.
Samsung indique vouloir commercialiser ses premiers disques SSD NGSFF à partir du quatrième trimestre 2017.
