Le Blu-Ray possède beaucoup d’atouts pour remporter la bataille du format haute définition. Mais un défaut récurrent semble se préciser de plus en plus : sa mise au point suppose de nombreux défis techniques. Parmi ceux-ci figure notamment la production des fameuses diodes laser bleues. Celles-ci seraient en effet déjà responsables du retard de la PlayStation 3 et de plusieurs platines Blu-Ray sur le Vieux continent.
Dans ce contexte, la victoire pour le standard HD est-elle d’ores et déjà acquise au HD-DVD ' Que nenni.
Les bienfaits du silicium
La société Shimei Semiconductor est en effet parvenue à mettre au point une diode laser bleue reposant sur un substrat de silicium. A titre de comparaison, à l’heure actuelle, ces mêmes diodes sont conçues sur un substrat de saphir.
Les avantages du substrat de silicium sont indéniables : les coûts de production sont drastiquement diminués, la structure même de la diode laser est simplifiée quand parallèlement sa durée de vie est augmentée.
Techniquement, la nouvelle structure se compose du substrat de silicium, des couches tampon et de la diode luminescente. A l’extrémité basse se trouve la cathode, à l’extrémité haute l’anode. Lorsque le substrat de silicium absorbe la lumière, une fine pellicule réfléchissante s’y forme, qui améliore l’efficacité.
La longueur d’onde émise par ces lumières bleues est de 450 nanomètres (consommation de 10 milliwatts), ce qui s’avère un peu plus long que la norme actuelle d’environ 405 nanomètres. Shimei Semiconductor affirme cependant que des améliorations sont prévues.
Ce nouveau procédé de fabrication pourrait officiellement voir le jour en avril 2007. Shimei Semiconductor affirme être en mesure de produire trois millions d’unités de ce type par mois.
Dans ce contexte, la victoire pour le standard HD est-elle d’ores et déjà acquise au HD-DVD ' Que nenni.
Les bienfaits du silicium
La société Shimei Semiconductor est en effet parvenue à mettre au point une diode laser bleue reposant sur un substrat de silicium. A titre de comparaison, à l’heure actuelle, ces mêmes diodes sont conçues sur un substrat de saphir.
Les avantages du substrat de silicium sont indéniables : les coûts de production sont drastiquement diminués, la structure même de la diode laser est simplifiée quand parallèlement sa durée de vie est augmentée.
Techniquement, la nouvelle structure se compose du substrat de silicium, des couches tampon et de la diode luminescente. A l’extrémité basse se trouve la cathode, à l’extrémité haute l’anode. Lorsque le substrat de silicium absorbe la lumière, une fine pellicule réfléchissante s’y forme, qui améliore l’efficacité.
La longueur d’onde émise par ces lumières bleues est de 450 nanomètres (consommation de 10 milliwatts), ce qui s’avère un peu plus long que la norme actuelle d’environ 405 nanomètres. Shimei Semiconductor affirme cependant que des améliorations sont prévues.
Ce nouveau procédé de fabrication pourrait officiellement voir le jour en avril 2007. Shimei Semiconductor affirme être en mesure de produire trois millions d’unités de ce type par mois.
