Le groupe sud-coréen Hynix et le groupe japonais Toshiba viennent d’annoncer la mise en commun de leurs savoir-faire respectifs pour le développement d’une nouvelle mémoire vive de type MRAM. Le premier apportera ses processus de production performants et compétitifs, tandis que le second fera profiter de son expérience en la matière avec une première puce mémoire MRAM présentée en 2007.
Rappelons qu’à la différence de la mémoire RAM ( Random Access Memory ), la mémoire MRAM ( Magnetic Random Access Memory ) n’utilise pas l’énergie électrique pour le stockage des données, mais l’énergie magnétique. Celle-ci est par conséquent non volatile, c’est-à-dire qu'elle ne perd pas les données lors de la mise hors tension de l’appareil. Autres atouts connus de la mémoire de type MRAM : sa densité assez importante, ses performances élevées et sa consommation énergétique faible. Autant de caractéristiques qui rendent celle-ci relativement intéressante pour les appareils mobiles compacts tels que les smartphones.
Cette alliance se concrétisera par la suite avec la mise sur pied d’une co-entreprise, lorsque viendra le moment de la production.
