Dans les pas de Samsung qui a annoncé la productoin de composants mémoire V-NAND (NAND 3D) en 96 couches, le groupe Toshiba dévoile pour sa part une nouvelle série de SSD XG6 avec interface NVMe et au format M2 qui exploite aussi une mémoire NAND 3D BICS Flash en 96 couches pour la première fois.
Les composants mémoire embarqués sont de type TLC (3 bits par cellule) et le nouveau processus d'empilement en 96 couches permet d'accroître de 40% la capacité par module par rapport à de la mémoire NAND 3D en 64 couches.
La série de SSD XG6 de Toshiba peut couvrir divers segments, des systèmes embarqués au gaming en passant par le secteur professionnel, en tant que système de boot pour serveurs dans les datacenters.
La gamme promet des vitesses de lecture séquentielle de 3180 MB/s et d'écriture séquentielle de 3000 MB/s, avec jusqu'à 355 000 IOPS en lecture aléatoire et 365 000 IOPS en écriture aléatoire.
La gamme XG6 se déclinera en capacités 256 Go, 512 Go et 1 To. Elle est déjà proposée en échantillons aux partenaires avant sa commercialisation effective.
A noter que Toshiba Memory America a annoncé il y a quelques jours avoir finalisé le développement d'une mémoire NAND 3D BICS Flash en 96 couches QLC (Quad Level Cell, 4 bits par cellule) au lieu de TLC (3 bits par cellule)
Le groupe fait ainsi d'une pierre deux coups et promet une capacité de 1,33 terabit (166 Go environ) par chip, et de 2,66 teraoctets pour un package de 16 dies empilés.
Si les premiers échantillons seront livrés aux fabricants de SSD dès le mois de septembre, il faudra attendre 2019 pour la production de masse de cette mémoire 3D NAND QLC en 96 couches.
