MediaTek : la gravure en 7 nm avec TSMC pour un SoC...à 12 coeurs !

Le par  |  10 commentaire(s) Source : Digitimes
Helio X30

Alors que le SoC Helio X30 démarre tout juste sa phase de production en 10 nm, MediaTek serait déjà en train de préparer l'étape suivante avec la pré-production de puces gravées en 7 nm, toujours chez TSMC.

Le nouveau processeur mobile Helio X30 decacore gravé en 10 nm de MediaTek a officiellement été annoncé comme disponible durant le salon MWC 2017 de Barcelone et doit en principe se retrouver dans des smartphones dès le deuxième trimestre de l'année (les fabricants chinois Meizu et Vernee devraient être les premiers à en bénéficier).

Des rumeurs persistantes sur des problèmes de rendement de la gravure en 10 nm chez TSMC, ralentissant la disponibilité effective des composants, ont régulièrement circulé ces derniers mois, faisant craindre des décalages dans les lancements et le désistement de certains clients.

Helio X30
MediaTek Helio X30 gravé en 10 nm

Selon le site Digitimes, MediaTek resterait cependant lié à TSMC sur le prochain noeud de gravure. La phase de pré-production (Risk Production) sur la gravure en 7 nm pour un composant de MediaTek serait déjà programmée durant le deuxième trimestre de l'année, et il s'agirait d'un processeur...à 12 coeurs (dodecacore) !

MediaTek profitera ainsi peut-être de la gravure plus fine pour ajouter des coeurs supplémentaires à sa configuration, actuellement de type 2 + 4 + 4 pour ses SoC Helio X20 / X30.

Le concepteur de puces a déjà réfuté les rumeurs sur un retard de production du Helio X30 et continue d'affirmer que les livraisons se feront comme prévu.

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Vos commentaires

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Le #1955860
7nm déjà cette année... C'est ouf comme les choses vont vite


Le #1955861
Safirion a écrit :

7nm déjà cette année... C'est ouf comme les choses vont vite


A mon avis ça va pas arriver tout de suite au vu des soucis qu'ils ont déjà en 10nm avec pas mal de déchets
Le #1955870
TSMC indiquait vouloir proposer sa gravure 7 nm dès début 2018 mais il est sûr que si des problèmes de rendement freinent le démarrage du 10 nm, cela risque d'avoir un impact pour passer au noeud inférieur, malgré la pression des clients qui en font un argument différenciant.
Le #1955872
Christian D. a écrit :

TSMC indiquait vouloir proposer sa gravure 7 nm dès début 2018 mais il est sûr que si des problèmes de rendement freinent le démarrage du 10 nm, cela risque d'avoir un impact pour passer au noeud inférieur, malgré la pression des clients qui en font un argument différenciant.


Ouais ça me parait short aussi
Le #1955948
skynet a écrit :

Safirion a écrit :

7nm déjà cette année... C'est ouf comme les choses vont vite


A mon avis ça va pas arriver tout de suite au vu des soucis qu'ils ont déjà en 10nm avec pas mal de déchets


T'as un lien sur le sujet ?

J'ai creusé les techniques industrielles récemment suite a l'annonce de Samsung sur ses Exynos et aussi en lisant le dossier de Canard Pc hardware de janvier 2017 qui expliquait sur la période a haute risque qu'intel est en passe de vivre ces 2 a 5 prochaines années.

La lithographie EUV est extrêmement compliqué même a 20nm. La qualité et la propreté des miroirs, des masques ou encore de la source de rayons X est extrêmement difficile a atteindre en fabrication.

Même les appareils de métrologie (mesure) ont du mal a suivre pour qualifier "la planéité" parfaite des miroirs et masques.
Il s'agit d'avoir une surface plate d'un couche de 2 a 5 atomes déjà pour le 20 nm. Donc pour moins de 7 nm, il faut un miroir de 0 a 1 couche atomique !

Obtenir une source de rayons X parfaitement fiable est aussi très difficile. Notamment pour avoir la même puissance dans la bonne longueur d'onde sur une temps très long. les lasers progressent vite, mais les machins deviennent de plus en plus compliquées a calibrer et tout simplement a fabriquer.

Si les choses continuent a ce rythme, ils vont devoir fabriquer les masques et miroirs avec des microscopes a balayages en plaçant les atomes un a un eux-même sur la surface du miroir !


Je ne vois pas comment ils vont descendre en dessous de 10 nm et être rentable économiquement. les spécialistes se demandent si ça vaut le coup économiquement. les limites physiques ne sont plus très loin là. cette fois c'est sûr. Au moins pour le silicium.
Le #1955951
ATomicBoy44 a écrit :

skynet a écrit :

Safirion a écrit :

7nm déjà cette année... C'est ouf comme les choses vont vite


A mon avis ça va pas arriver tout de suite au vu des soucis qu'ils ont déjà en 10nm avec pas mal de déchets


T'as un lien sur le sujet ?

J'ai creusé les techniques industrielles récemment suite a l'annonce de Samsung sur ses Exynos et aussi en lisant le dossier de Canard Pc hardware de janvier 2017 qui expliquait sur la période a haute risque qu'intel est en passe de vivre ces 2 a 5 prochaines années.

La lithographie EUV est extrêmement compliqué même a 20nm. La qualité et la propreté des miroirs, des masques ou encore de la source de rayons X est extrêmement difficile a atteindre en fabrication.

Même les appareils de métrologie (mesure) ont du mal a suivre pour qualifier "la planéité" parfaite des miroirs et masques.
Il s'agit d'avoir une surface plate d'un couche de 2 a 5 atomes déjà pour le 20 nm. Donc pour moins de 7 nm, il faut un miroir de 0 a 1 couche atomique !

Obtenir une source de rayons X parfaitement fiable est aussi très difficile. Notamment pour avoir la même puissance dans la bonne longueur d'onde sur une temps très long. les lasers progressent vite, mais les machins deviennent de plus en plus compliquées a calibrer et tout simplement a fabriquer.

Si les choses continuent a ce rythme, ils vont devoir fabriquer les masques et miroirs avec des microscopes a balayages en plaçant les atomes un a un eux-même sur la surface du miroir !


Je ne vois pas comment ils vont descendre en dessous de 10 nm et être rentable économiquement. les spécialistes se demandent si ça vaut le coup économiquement. les limites physiques ne sont plus très loin là. cette fois c'est sûr. Au moins pour le silicium.


Sans compter que s'ils migrent sur d'autres atomes que le silicium, le prix de la matière première risque de coûter nettement plus cher. Comme je ne crois pas aux puces quantiques pour l'instant (qui semble une solution plus théorique que pratique suite au problème de décohérence) les solutions pour une plus grande miniaturisation se restreignent vachement. La loi de Moore serait-elle en passe de devenir obsolète ?
Le #1955963
Ulysse2K a écrit :

ATomicBoy44 a écrit :

skynet a écrit :

Safirion a écrit :

7nm déjà cette année... C'est ouf comme les choses vont vite


A mon avis ça va pas arriver tout de suite au vu des soucis qu'ils ont déjà en 10nm avec pas mal de déchets


T'as un lien sur le sujet ?

J'ai creusé les techniques industrielles récemment suite a l'annonce de Samsung sur ses Exynos et aussi en lisant le dossier de Canard Pc hardware de janvier 2017 qui expliquait sur la période a haute risque qu'intel est en passe de vivre ces 2 a 5 prochaines années.

La lithographie EUV est extrêmement compliqué même a 20nm. La qualité et la propreté des miroirs, des masques ou encore de la source de rayons X est extrêmement difficile a atteindre en fabrication.

Même les appareils de métrologie (mesure) ont du mal a suivre pour qualifier "la planéité" parfaite des miroirs et masques.
Il s'agit d'avoir une surface plate d'un couche de 2 a 5 atomes déjà pour le 20 nm. Donc pour moins de 7 nm, il faut un miroir de 0 a 1 couche atomique !

Obtenir une source de rayons X parfaitement fiable est aussi très difficile. Notamment pour avoir la même puissance dans la bonne longueur d'onde sur une temps très long. les lasers progressent vite, mais les machins deviennent de plus en plus compliquées a calibrer et tout simplement a fabriquer.

Si les choses continuent a ce rythme, ils vont devoir fabriquer les masques et miroirs avec des microscopes a balayages en plaçant les atomes un a un eux-même sur la surface du miroir !


Je ne vois pas comment ils vont descendre en dessous de 10 nm et être rentable économiquement. les spécialistes se demandent si ça vaut le coup économiquement. les limites physiques ne sont plus très loin là. cette fois c'est sûr. Au moins pour le silicium.


Sans compter que s'ils migrent sur d'autres atomes que le silicium, le prix de la matière première risque de coûter nettement plus cher. Comme je ne crois pas aux puces quantiques pour l'instant (qui semble une solution plus théorique que pratique suite au problème de décohérence) les solutions pour une plus grande miniaturisation se restreignent vachement. La loi de Moore serait-elle en passe de devenir obsolète ?


Il reste le graphène qui permettrait une monté en fréquence... A voir...
Le #1955973
Safirion a écrit :

Ulysse2K a écrit :

ATomicBoy44 a écrit :

skynet a écrit :

Safirion a écrit :

7nm déjà cette année... C'est ouf comme les choses vont vite


A mon avis ça va pas arriver tout de suite au vu des soucis qu'ils ont déjà en 10nm avec pas mal de déchets


T'as un lien sur le sujet ?

J'ai creusé les techniques industrielles récemment suite a l'annonce de Samsung sur ses Exynos et aussi en lisant le dossier de Canard Pc hardware de janvier 2017 qui expliquait sur la période a haute risque qu'intel est en passe de vivre ces 2 a 5 prochaines années.

La lithographie EUV est extrêmement compliqué même a 20nm. La qualité et la propreté des miroirs, des masques ou encore de la source de rayons X est extrêmement difficile a atteindre en fabrication.

Même les appareils de métrologie (mesure) ont du mal a suivre pour qualifier "la planéité" parfaite des miroirs et masques.
Il s'agit d'avoir une surface plate d'un couche de 2 a 5 atomes déjà pour le 20 nm. Donc pour moins de 7 nm, il faut un miroir de 0 a 1 couche atomique !

Obtenir une source de rayons X parfaitement fiable est aussi très difficile. Notamment pour avoir la même puissance dans la bonne longueur d'onde sur une temps très long. les lasers progressent vite, mais les machins deviennent de plus en plus compliquées a calibrer et tout simplement a fabriquer.

Si les choses continuent a ce rythme, ils vont devoir fabriquer les masques et miroirs avec des microscopes a balayages en plaçant les atomes un a un eux-même sur la surface du miroir !


Je ne vois pas comment ils vont descendre en dessous de 10 nm et être rentable économiquement. les spécialistes se demandent si ça vaut le coup économiquement. les limites physiques ne sont plus très loin là. cette fois c'est sûr. Au moins pour le silicium.


Sans compter que s'ils migrent sur d'autres atomes que le silicium, le prix de la matière première risque de coûter nettement plus cher. Comme je ne crois pas aux puces quantiques pour l'instant (qui semble une solution plus théorique que pratique suite au problème de décohérence) les solutions pour une plus grande miniaturisation se restreignent vachement. La loi de Moore serait-elle en passe de devenir obsolète ?


Il reste le graphène qui permettrait une monté en fréquence... A voir...


Le carbone n'a pas de propriété de semi-conducteur (à température ambiante) donc je n'y crois pas non plus. Le germanium est une alternative (les premiers transistors) mais un Die en 100 % germanium coûterait vraiment cher. J'ai de bonnes notions de chimie mais les technologies évoluent tellement vite que je ne m'avancerais pas dans d'autres spéculations du tableau périodique.

Bref, après le CH3-CH2-OH, il n'y a plus rien
Le #1956000
Ulysse2K a écrit :

Safirion a écrit :

Ulysse2K a écrit :

ATomicBoy44 a écrit :

skynet a écrit :

Safirion a écrit :

7nm déjà cette année... C'est ouf comme les choses vont vite


A mon avis ça va pas arriver tout de suite au vu des soucis qu'ils ont déjà en 10nm avec pas mal de déchets


T'as un lien sur le sujet ?

J'ai creusé les techniques industrielles récemment suite a l'annonce de Samsung sur ses Exynos et aussi en lisant le dossier de Canard Pc hardware de janvier 2017 qui expliquait sur la période a haute risque qu'intel est en passe de vivre ces 2 a 5 prochaines années.

La lithographie EUV est extrêmement compliqué même a 20nm. La qualité et la propreté des miroirs, des masques ou encore de la source de rayons X est extrêmement difficile a atteindre en fabrication.

Même les appareils de métrologie (mesure) ont du mal a suivre pour qualifier "la planéité" parfaite des miroirs et masques.
Il s'agit d'avoir une surface plate d'un couche de 2 a 5 atomes déjà pour le 20 nm. Donc pour moins de 7 nm, il faut un miroir de 0 a 1 couche atomique !

Obtenir une source de rayons X parfaitement fiable est aussi très difficile. Notamment pour avoir la même puissance dans la bonne longueur d'onde sur une temps très long. les lasers progressent vite, mais les machins deviennent de plus en plus compliquées a calibrer et tout simplement a fabriquer.

Si les choses continuent a ce rythme, ils vont devoir fabriquer les masques et miroirs avec des microscopes a balayages en plaçant les atomes un a un eux-même sur la surface du miroir !


Je ne vois pas comment ils vont descendre en dessous de 10 nm et être rentable économiquement. les spécialistes se demandent si ça vaut le coup économiquement. les limites physiques ne sont plus très loin là. cette fois c'est sûr. Au moins pour le silicium.


Sans compter que s'ils migrent sur d'autres atomes que le silicium, le prix de la matière première risque de coûter nettement plus cher. Comme je ne crois pas aux puces quantiques pour l'instant (qui semble une solution plus théorique que pratique suite au problème de décohérence) les solutions pour une plus grande miniaturisation se restreignent vachement. La loi de Moore serait-elle en passe de devenir obsolète ?


Il reste le graphène qui permettrait une monté en fréquence... A voir...


Le carbone n'a pas de propriété de semi-conducteur (à température ambiante) donc je n'y crois pas non plus. Le germanium est une alternative (les premiers transistors) mais un Die en 100 % germanium coûterait vraiment cher. J'ai de bonnes notions de chimie mais les technologies évoluent tellement vite que je ne m'avancerais pas dans d'autres spéculations du tableau périodique.

Bref, après le CH3-CH2-OH, il n'y a plus rien


Certes mais comme on peut le lire dans cet article ou sur wikipédia, il est possible de le rendre semi-conducteurs : http://www.futura-sciences.com/tech/actualites/technologie-graphene-transforme-veritable-semi-conducteur-40186/
Le #1956070
Safirion a écrit :

Ulysse2K a écrit :

Safirion a écrit :

Ulysse2K a écrit :

ATomicBoy44 a écrit :

skynet a écrit :

Safirion a écrit :

7nm déjà cette année... C'est ouf comme les choses vont vite


A mon avis ça va pas arriver tout de suite au vu des soucis qu'ils ont déjà en 10nm avec pas mal de déchets


T'as un lien sur le sujet ?

J'ai creusé les techniques industrielles récemment suite a l'annonce de Samsung sur ses Exynos et aussi en lisant le dossier de Canard Pc hardware de janvier 2017 qui expliquait sur la période a haute risque qu'intel est en passe de vivre ces 2 a 5 prochaines années.

La lithographie EUV est extrêmement compliqué même a 20nm. La qualité et la propreté des miroirs, des masques ou encore de la source de rayons X est extrêmement difficile a atteindre en fabrication.

Même les appareils de métrologie (mesure) ont du mal a suivre pour qualifier "la planéité" parfaite des miroirs et masques.
Il s'agit d'avoir une surface plate d'un couche de 2 a 5 atomes déjà pour le 20 nm. Donc pour moins de 7 nm, il faut un miroir de 0 a 1 couche atomique !

Obtenir une source de rayons X parfaitement fiable est aussi très difficile. Notamment pour avoir la même puissance dans la bonne longueur d'onde sur une temps très long. les lasers progressent vite, mais les machins deviennent de plus en plus compliquées a calibrer et tout simplement a fabriquer.

Si les choses continuent a ce rythme, ils vont devoir fabriquer les masques et miroirs avec des microscopes a balayages en plaçant les atomes un a un eux-même sur la surface du miroir !


Je ne vois pas comment ils vont descendre en dessous de 10 nm et être rentable économiquement. les spécialistes se demandent si ça vaut le coup économiquement. les limites physiques ne sont plus très loin là. cette fois c'est sûr. Au moins pour le silicium.


Sans compter que s'ils migrent sur d'autres atomes que le silicium, le prix de la matière première risque de coûter nettement plus cher. Comme je ne crois pas aux puces quantiques pour l'instant (qui semble une solution plus théorique que pratique suite au problème de décohérence) les solutions pour une plus grande miniaturisation se restreignent vachement. La loi de Moore serait-elle en passe de devenir obsolète ?


Il reste le graphène qui permettrait une monté en fréquence... A voir...


Le carbone n'a pas de propriété de semi-conducteur (à température ambiante) donc je n'y crois pas non plus. Le germanium est une alternative (les premiers transistors) mais un Die en 100 % germanium coûterait vraiment cher. J'ai de bonnes notions de chimie mais les technologies évoluent tellement vite que je ne m'avancerais pas dans d'autres spéculations du tableau périodique.

Bref, après le CH3-CH2-OH, il n'y a plus rien


Certes mais comme on peut le lire dans cet article ou sur wikipédia, il est possible de le rendre semi-conducteurs : http://www.futura-sciences.com/tech/actualites/technologie-graphene-transforme-veritable-semi-conducteur-40186/


Intéressant ton article, merci Par contre, il faut encore du silicium (SiC). Enfin, on verra ce qui l'en sera pour les CPU dans l'avenir en espérant qu'un chercheur trouvera une parade
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Anonyme
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