Lors de son Symposium 2010, le fabricant de semiconducteurs taiwanais TSMC a annoncé qu'il ne passerait pas par la case de la gravure en 22 nm pour mieux s'attaquer directement à la gravure en 20 nm, plus intéressante économiquement.
Shang-yi Chiang, vice-président R&D de TSMC, a souligné que la gravure en 20 nm offrait un meilleur ratio entre performance et coût par rapport à la gravure en 22 nm et constituerait une plate-forme plus attractive pour les concepteurs de circuits électroniques.
Une question économique et technique
TSMC va utiliser un procédé planaire avec des portes high-K metal optimisées, un nouveau type de silicium et des interconnexions en cuivre basse résistance Ultra-Low-K, dont la méthode est déjà validée pour certains types de composants.
" Nous avons atteint un point dans le développement des technologies avancées où nous devons nous préoccuper du retour sur investissement de ces technologies. Nous devons également élargir notre vision au-delà des barrières technologiques des procédés qui sont inhérentes à chaque seuil de gravure. Une innovation de type collaborative et co-optimisée est nécessaire pour dépasser les problèmes technologiques et économiques posés "
, a indiqué Shang-yi Chiang. TSMC prévoit de débuter les premières productions gravées en 20 nm d'ici le second semestre 2012.
