L'Europe est elle aussi capable d'initier de grands projets innovants autour de la fabrication de semiconducteurs en s'appuyant sur son tissu industriel comme sur ses organismes de recherche. Ce type d'expérimentation demandant d'importantes ressources, il ne peut être construit que dans le cadre de partenariats de type public-privé qui permet à la fois de soutenir les phases de test en amont et l'exploitation des lignes de production ensuite.

ST logo 02  Le projet Places2Be, acronyme pour Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe, va explorer la gravure en 28 nm en exploitant la technologie FD-SOI ( Fully Depleted - Silicon on Isolator) et permettre de créer des lignes pilotes qui pourront être exploitées ensuite à un stade industriel et ouvrir la voie à de la gravure 14 nm FD-SOI, puis 10 nm FD-SOI.

Le FD-SOI se veut une alternative aux techniques conventionnelles qui permet notamment de réduire la consommation d'énergie des composants sans en limiter les performances et en réduisant la complexité de fabrication, avec des applications dans les produits électroniques grand public mais aussi pour des systèmes haute performance ou des équipements réseau.

  
Qu'est-ce que le FD-SOI ?

Le projet Places2Be est lancé sur trois ans et appuyé par une enveloppe de 360 millions d'euros, mobilisant 500 ingénieurs et avec pour chef de file le fondeur franco-italien STMicroelectronics et la présence de 19 partenaires européens représentant 7 pays, parmi lesquels le français Soitec, spécialiste de la technologie FD-SOI.

FD-SOI

L'initiative doit permettre la création d'une ligne pilote sur le site de Crolles (près de Grenoble) chez STMicroelectronics ainsi que d'une deuxième ligne à Dresde (Allemagne) au sein du site Fab1 de GlobalFoundries qui pourra servir pour de la production de masse.

" Le projet Places2Be va permettre de renforcer les pôles de Grenoble et de Dresde, tout en ayant des répercussions positives sur l'ensemble de la chaîne de valeur microéelectronique en Europe - grands comptes, PME, start-ups et autres instituts de recherche - au-delà de l'impact direct induit par les investissements en faveur des matériaux et de la propriété intellectuelle ", indique François Fink, directeur des programmes de coopération en R&D de ST.

A noter que ST-Ericsson a annoncé en début d'année une plate-forme mobile NovaThor L8580 exploitant la gravure 28 nm FD-SOI.