Hynix lance ses premiers modules mémoire DDR3 en 40 nm

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Hynix vient d'annoncer la gravure de la première puce 1 Gb (128 Mo) de DDR3 en 40 nm.

Hynix_logoLes derniers communiqués concernant la santé financière d'Hynix n'étaient pas très bons mais n'empêchent pas le fabriquant de mémoire d'annoncer de nouvelles puces. Ainsi ce nouveau module est le premier d'une capacité de 1 Gb (soit 128 Mo) à être gravé en 40 nm et à répondre aux spécifications d'Intel.

Techniquement parlant cette puce serait également capable de fonctionner jusqu'à la vitesse de 2133 Mb/s suivant la tension appliquée. L'intérêt de cette nouvelle mémoire est également économique pour Hynix : une finesse de gravure plus petite est toujours synonyme de productivité en hausse du fait d'un nombre de puces plus important par wafer.

Hynix DDR3 40nm 1gb

Une puce DDR3 1Gb en 40 nm (crédits Matbe, cliquer pour agrandir)

Cette nouvelle DRAM 40 nm offre donc une perspective intéressante pour Hynix en ces temps de crise sachant que sa production en masse est prévue pour démarrer dans le courant du troisième trimestre 2009.

Complément d'information
  • Mémoire Flash NAND ultra fine chez Hynix
    La société Hynix cherche à prendre à contre-pied les constructeurs Intel et Micron en annonçant sa future mémoire Flash NAND profitant d'une finesse de gravure estimée à 15 nanomètres.
  • Hynix annonce la plus petite mémoire mobile DRAM de 128 Mo
    Le troisième fabricant mondial de mémoires Flash Hynix annonce une avancée dans le domaine avec sa nouvelle mémoire DRAM mobile de 128 Mo (1 Gbit) plus petite et moins gourmande par rapport à la concurrence.

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