Mémoire Flash NAND ultra fine chez Hynix

Le par  |  0 commentaire(s)
Hynix_logo

La société Hynix cherche à prendre à contre-pied les constructeurs Intel et Micron en annonçant sa future mémoire Flash NAND profitant d'une finesse de gravure estimée à 15 nanomètres.

Hynix_logoAlors que la joint-venture IMFT ( IM Flash Technologies ) des sociétés Micron et Intel vient d'annoncer la conception de puces Flash NAND profitant d'un processus de gravure de 20 nanomètres, la société Hynix cherche à s'attirer tous les honneurs avec sa récente déclaration dans le cadre de l'IEDM ( IEEE International Electron Devices Meeting ).

Hynix - Flash NAND 15 nmLe fabricant sud-coréen y a dévoilé leur nouvelle technologie baptisée « Middle-1Xnm ». Cette dernière précise l'intention de proposer une finesse de gravure record, qui devrait s'effectuer à hauteur de 15 nanomètres, soit une grille réduite de 25 % par rapport aux dernières avancées d'Intel et de Micron.

Avec ce nouveau record, la puissance électrique sera réduite et les accès aux données seront nettement plus rapides. Ce sera notamment intéressant au sein des dispositifs SSD.

Toutefois, Hynix se prépare à se confronter à de nombreux obstacles pour atteindre leur objectif. Parmi eux, il faudra noter les fuites de courant des charges de la grille flottante du point mémoire, ou encore la probabilité de trous dans la grille de silicium.

L'appareil de production qui résoudra ces interrogations est en cours de préparation, la fabrication de ces mémoires Flash NAND sera amorcée au cours du second semestre de l'année 2012.

Complément d'information

Vos commentaires

Gagnez chaque mois un abonnement Premium avec GNT : Inscrivez-vous !
Suivre les commentaires
Poster un commentaire
Anonyme
:) ;) :D ^^ 8) :| :lol: :p :-/ :o :w00t: :roll: :( :cry: :facepalm:
:andy: :annoyed: :bandit: :alien: :ninja: :agent: :doh: :@ :sick: :kiss: :love: :sleep: :whistle: =]