Galaxy S7 Edge Après une plate-forme Snapdragon 810 qui a présenté des problèmes de surchauffe et amené Samsung à écarter Qualcomm de ses smartphones haut de gamme en 2015, il était évident que la remplaçante Snapdragon 820 allait être surveillée de près sur cet aspect. Surtout que le groupe sud-coréen a décidé de la proposer sur ses porte-étendards de 2016, les Galaxy S7 et Galaxy S7 Edge dévoilés au dernier MWC de Barcelone. Cela suggère en effet que tout est rentré dans l’ordre.

Et cela semble être le cas, si l’on se fie à un comparatif publié sur XDA. Le smartphone Galaxy S7 Edge équipé du SoC Snapdragon 820 monte en effet à 37,2 degrés, quand le Moto X Pure avec Snapdragon 808 grimpe à 32,8 degrés, le Galaxy Note 5 avec Exynos 7420 Octa à 36,1 degrés, le Nexus 6P avec Snapdragon 810 (version corrigée) à 36,1 degrés et l’iPhone 6S Plus avec A9 à 40 degrés. La chauffe reste donc effectivement dans la moyenne. Maintenant, les efforts concessentis par Qualcomm ne feront pas tout. À voir donc ce qu'il en sera avec d'autres smartphones Snapdragon 820. La conception du smartphone compte en effet tout autant.

Toujours concernant le Galaxy S7 Edge, ce sont également la résistance aux rayures et la résistance au pliage qui font l'objet de premiers tests. Le joujou sud-coréen s'en sort plutôt bien.

Source : XDA