La bataille est engagée entre les fondeurs TSMC et Samsung pour être les premiers à proposer des technologies de gravure toujours plus fines, s'imposant une course de vitesse malgré les très gros investissements nécessaires.
TSMC a déjà régulièrement communiqué sur sa capacité à lancer la pré-production dès cette année et la production de masse début 2018, anticipant déjà un calendrier pour des gravures encore plus fines (5 nm puis 3 nm) pour 2020-2022.
Après avoir bataillé sur le 14 nm puis sur le 10 nm, le géant Samsung ne compte pas se laisser distancer et indique à son tour être en mesure de proposer de la gravure en 7 nm FinFET dès début 2018 en utilisant les procédés de lithographie EUV (Extreme Ultra Violet) nécessaires pour atteindre une finesse de gravure de moins de 10 nm.
Selon ZDNet.co.kr, cela peut laisser suggérer que le futur smartphone Galaxy S9 de 2018 pourrait proposer un SoC gravé en 7 nm, tandis que le Galaxy S8 attendu cette année profitera de processeurs gravés en 10 nm par Samsung LSI, apportant encore un gain en performances et une réduction de la consommation d'énergie.
TSMC et Samsung devraient être rejoints sur la gravure 7 nm en 2018 par GlobalFoundries qui a finalement décidé de faire l'impasse sur le 10 nm, tandis que le géant Intel ne s'y intéresserait qu'à partir de 2022, préférant rentabiliser d'abord sa propre gravure 10 nm.
(credit image : TSMC)
