Samsung : production de mémoire PRAM 512 Mb

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La course à la production de la mémoire du futur, la PRAM ou PCM ou encore mémoire à changement de phase, a débuté en 2008. Samsung annonce aujourd'hui avoir commencé à produire de la PRAM 512 Mb ( 64 Mo ).

Samsung logo proLa PRAM ( PCM ou mémoire à changement de phase ) est vue par les industriels comme l'évolution de la mémoire Flash très largement utilisée dans tous les gadgets électroniques, offrant une plus grande réactivité, combinant certaines propriétés de la mémoire Flash et de la DRAM, et consommant moins d'énergie, ménageant ainsi l'autonomie des appareils.

Parmi les grands acteurs impliqués dans son développement, le groupe Numonyx, qui a fusionné les activités de mémoire Flash d' Intel et de STMicroelectronics, s'est très tôt positionné sur la PRAM, s'efforçant de la commercialiser rapidement.

Un autre acteur important est représenté par Samsung, spécialiste des composants mémoire Flash, qui compte aussi sur la PRAM pour répondre aux besoins des appareils électroniques de prochaine génération. Ses premiers prototypes PRAM avaient été présentés en 2006.


Lancement de la production de PRAM
Les deux groupes se sont d'ailleurs rapprochés en juin dernier pour tenter de poser un cadre commun concernant la gestion de ce type de mémoire, de manière à pouvoir la commercialiser plus facilement.  Mais ils n'en sont pas moins concurrents sur l'offre de mémoire PCM.

Et Samsung vient d'annoncer à l'occasion du sixième Forum Samsung Mobile Solutions, à Taiwan, le démarrage de la production de mémoire PRAM 512 Mb ( 64 Mo ), annoncée comme 7 à 10 fois plus rapide que la mémoire Flash NOR dans les étapes de manipulation des données ( effacement, réécriture ).

Tout en restant de la mémoire non volatile, elle se rapproche de la vitesse de traitement des données de la mémoire DRAM, constituant une solution hybride attractive. Autre point intéressant, la nouvelle mémoire PRAM de Samsung est gravée en 65 nm, comme la mémoire Flash NOR. Samsung promet de descendre rapidement en finesse de gravure afin d'accélérer l'adoption de la mémoire PRAM dans l'industrie.

De son côté, Numonyx avait annoncé fin 2008 avoir commencé à livrer ses premières mémoires PRAM 128 Mb ( 16 Mo ) gravées en 90 nm à certains de ses clients, avec là aussi la promesse de descendre rapidement en finesse de gravure.

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