Le groupe Samsung, spécialiste des composants mémoire, vient de lancer la production de disques SSD SATA utilisant de la NAND 3D V-NAND QLC (4 bits par cellule) permettant d'atteindre une capacité de stockage de 4 To.

Ces nouveaux produits exploitent des composants V-NAND 1 Tb (128 Go) qui vont contribuer à démocratiser les SSD de plusieurs To sur le segment grand public. Ils vont également permettre de concevoir des cartes mémoire de 128 Go pour smartphones et continuer d'étendre les capacités de stockage des appareils mobiles.

Samsung SSD SATA QLC

Samsung indique que ses SSD 4 To en QLC conservent les performances en vitesse de lecture et d'écriture des modules TLC (3 bits par cellule), avec ici une vitesse de lecture séquentielle annoncée de 540 Mbps et d'écriture séquentielle de 520 Mbps, grâce à la combinaison d'un contrôleur SSD 3 bits et de la technologie TurboWrite.

La gamme de SSD SATA QLC de Samsung proposera plusieurs capacités : 1 To, 2 To et 4 To au format 2,5" mais des versions pro au format M.2 et interface NVMe sont également prévues pour les entreprises.