NAND 3D : les modules mémoire de SanDisk et Toshiba grimpent jusqu'à 48 couches

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Pendant qu'Intel et Micron se positionnent sur la mémoire flash NAND 3D, SanDisk et son partenaire Toshiba dévoilent une deuxième génération de mémoire NAND 3D capable d'empiler jusqu'à 48 couches au lieu de 32.

Après Samsung et sa V-NAND, c'est Intel et Micron qui ont dévoilé leurs plan en matière de mémoire flash NAND 3D avec une technologie qui devrait permettre de concevoir des disques SSD de grande capacité dans des formats très compacts.

Logo SanDisk La NAND 3D permet d'empiler des couches de modules mémoire afin d'augmenter la densité de stockage tout en occupant une empreinte réduite sur les cartes mères, avec des bénéfices en terme d'encombrement et de consommation d'énergie.

Dans le même temps, c'est SanDisk qui annonce avoir développé avec son partenaire Toshiba une deuxième génération de mémoire NAND 3D dont la technologie est baptisée BiCS2 (pour Bit Cost Scaling).

Là où leurs concurrents proposent des empilements de 32 couches, la technologie BiCS2 va permettre d'atteindre 48 couches de composants mémoire empilés. La pré-production industrielle est prévue pour le second semestre 2015 dans l'entreprise co-gérée de Yokkaichi, au Japon, et la production industrielle démarrera en 2016.

Bien évidemment, SanDisk annonce déjà qu'il proposera cette mémoire NAND 3D BiCS2 dans une prochaine gamme de disques SSD haute capacité destinés au marché professionnel.

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