La course à la miniaturisation et à l'optimisation se poursuit dans les composants mémoire. Smartphones et tablettes, toujours plus puissants et fins, imposent un rythme d'évolution soutenu tandis que le marché des disques SSD ( Solid State Drive ) continue son ascension.
Les fondeurs Intel et Micron viennent de dévoiler une technique de production qui va permettre de fabriquer de la mémoire Flash NAND MLC ( Multi-Level Cell ) 8 Go gravée en 20 nm qui pourra trouver place dans les produits mobiles / nomades ou les disques SSD miniaturisés.
2 modules 32 Gb en 34 nm vs 1 module 64 Gb (8 Go) en 25 nm et 20 nm
En proposant des modules NAND d'une superficie de 118 mm2 et en permettant une réduction de 30 à 40% de l'espace occupé sur les cartes mères par rapport à la génération précédente, la mémoire Flash NAND peut se faire plus discrète dans l'espace déjà comprimé des configurations matérielles pour smartphones et tablettes, laissant de la place pour d'autres éléments, comme une plus grande batterie, un plus grand écran ou l'intégration de nouveaux composants ( NFC, par exemple ).
C'est la coentreprise IMFT ( Intel Micron Flash Technologies ) qui va produire ces nouveaux modules NAND 8 Go gravés en 20 nm grâce à des technologies de lithographie innovantes, tandis que la nouvelle mémoire Flash offre la même robustesse et fiabilité que la génération précédente, gravée en 25 nm.
Elle est déjà disponible en échantillons pour les clients d' Intel et de Micron et la production de masse interviendra à partir du second semestre 2011. Par la suite, les deux fondeurs prévoient de proposer des modules de 16 Go qui permettront de créer des disques SSD de 128 Go...de la taille d'un timbre-poste ( à rapprocher du format iSSD de SanDisk ).
