Équipé d’un contrôleur mémoire d’origine Silicon Motion et d’une mémoire flash NAND TLC 16 nanomètres fournie par Hynix, il promet des taux de transfert allant jusqu’à 500 Mo/s en écriture séquentielle et 550 Mo/s en lecture séquentielle, via sa connectique USB 3.1 Gen 2 (jusqu’à 10 Gbit/s), d'ailleurs en Type-C pour faciliter le raccordement (connecteur réversible).
Trois capacités de 128, 256 et 512 Go ont été annoncées. On attend maintenant d’en savoir davantage concernant la commercialisation sur le marché français.