Né en 2022 de la fusion des activités semi-conducteurs de plusieurs groupes nippons pour former un grand consortium comme le Japon en a le secret, Rapidus est autant une initiative industrielle que stratégique, le gouvernement japonais suivant de près son évolution.

Son projet est de pouvoir proposer des capacités de gravure de puces électroniques selon des procédés avancés et son ambition est d'arriver sur le marché en 2027 avec une première technique de gravure en 2 nm.

Un nouveau type de transistor avec le LETI

La firme compte s'appuyer sur les travaux de recherche d'IBM en matière de finesse de gravure pour disposer d'une base technique exploitable rapidement. Elle arriverait ainsi un peu après les grands fondeurs internationaux tels que TSMC, Samsung ou Intel qui pourront proposer de la gravure en 2 nm à partir de 2025 mais avec l'avantage de rentrer dans le club des fondeurs disposant de technologies de pointe.

Et en parlant de techniques avancées, et avant même d'avoir mis en place ce premier cap de la gravure en 2 nm, Rapidus prend de l'avance en indiquant préparer dès à présent sa future migration vers le noeud 1 nm.

Cette transition qui lui permettra de proposer une gravure entre 1 et 1,4 nm se jouera en 2030 et fait appel à une collaboration avec l'Université de Tokyo et le LETI (Laboratoire d'électronique des technnologies de l'information) français.

Des partenariats multiples

Les différentes entités partageront des ressources et collaboreront sur de la recherche fondamentale à partir de l'an prochain. Ces travaux devraient permettre de faire émerger de nouveaux types de transistors développés par le centre de recherche français qui seront ensuite soumis à une validation technique préparant le processus d'industrialisation.

TSMC finesse gravure technologie transistor

Les transistors FinFET des noeuds de classe 10 nm ont commencé à laisser placer au type GAA à partir du passage en 3 nm. Pour descendre sous le nanomètre, il faudra sans doute un autre design qui passera par les transistors CFET (Complementary Field-Effect Transistor), à l'étude dans différents laboratoires.

Passer de 2 nm à 1 nm apportera des gains de performances modérés que Rapidus estiment de l'ordre de 10 à 20% mais permettra de suivre les évolutions des techniques en collaboration avec plusieurs universités et centres de recherche.

Source : Tom's Hardware