Pour les besoins des datacenters et systèmes HPC (High Performance Computing), il faut des composants mémoires spécifiques aux vitesses de transfert très élevées. La mémoire HBM2E (High Bandwith Memory 2E) est l'une des réponses à ces problématiques et le groupe Samsung avait annoncé en mars 2019 une nouvelle évolution Flashbolt (correspondant à une troisième génération) promettant une bande passante de 410 Go/s, contre 300 Go/s environ pour la génération précédente Aquabolt.
Le leader mondial des composants mémoire vient d'annoncer avec finalisé un premier module HBM2E de 16 Go en empilant 8 dies de 16 Gb et s'apprête à lancer la production de masse durant le premier semestre 2020.
Et si cette première solution permet d'atteindre un débit de 3,2 Gbps par broche, Samsung fait déjà miroiter une évolution à venir qui permettrait d'atteindre 4,2 Gbps par broche, ce qui fera alors grimper la bande passante totale à 538 Go/s, soit plus d'une fois et demie la capacité de la génération précédente.
On peut se demander si cette précision n'est pas là pour couper l'herbe sous le pied du concurrent SK Hynix qui a annoncé sa propre mémoire HBM2E en 3,6 Gbps par broche, soit une bande passante de 460 Go/s, donc supérieure à ce qu'annonçait initialement Samsung.
Parallèlement au lancement de Flashbolt, les composants HBM2 Aquabolt de deuxième génération continueront d'évoluer en proposant des capacités étendues. La mémoire HMB2 se destine aux applications HPC et datacenter avec notamment en point de mire les besoins de transferts rapides d'information pour les intelligences artificielles.
