Les smartphones très haut de gamme ont commencé à embarquer de la mémoire LPDDR5 plus performante et moins gourmande en énergie pour épauler les SoC mobiles les plus puissants.
Le groupe Samsung, numéro un mondial de la production de composants mémoire, annonce la mise en production d'une mémoire LPDDR5 encore plus avancée et qui permettra d'aller encore plus loin dans les usages d'intelligence artificielle et de 5G au sein des smartphones et des tablettes tactiles.
Les nouveaux composants 16 Gb (2 Go) LPDDR5 profitent en effet des techniques des noeuds de gravure en 10 nm (ou noeud 1z) et de la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet) pour proposer des circuits encore plus fins.
Ils sont produits sur la plus grosse ligne de production de semiconducteurs au monde : la ligne 2 du site de production de Pyeongtaek, aussi vaste que 16 terrains de football, et qui produira aussi les dernières évolutions de mémoire V-NAND.
Samsung revendique des vitesses de transfert de 6400 Mb/s, soit 16% de mieux que les composants LPDDR5 12 Gb actuels qui plafonnent à 5500 Mb/s, tout en étant 30% plus fins.
Cet aspect sera particulièrement intéressant pour l'intégration de ce type de mémoire dans des smartphones dont l'espace interne est très limité. Samsung propose ainsi des modules LPDDR5 de 16 Go formés de 8 composants 16 Gb, alors qu'il fallait 12 composants (8 éléments de 12 Gb et 4 éléments de 8 Gb) pour obtenir la même quantité de mémoire jusqu'à présent.
On devrait retrouver cette mémoire LPDDR5 améliorée dans les smartphones à partir de 2021 tandis que Samsung explore les opportunités de son utilisation dans le secteur automobile.
