La mémoire DDR5 s'apprête à enfin à devenir réalité. Le JEDEC a finalisé en juillet les spécifications de la prochaine génération de RAM qui offrira plus de performances pour moins de consommation d'énergie grâce à une tension ramenée à 1,1V.
Et le premier à se lancer est le spécialiste coréen des mémoires SK Hynix qui annonce avoir finalisé le développement de modules 16 Gb (2 Go) de DDR5, après avoir débuté les travaux en 2018 en partenariat avec Intel qui a utilisé des échantillons pour mener des tests de validation et de compatibilité.
SK Hynix a également validé différents éléments de la future mémoire DDR5 comme le RCD (Register Clock Driver) et le PMIC (circuit de gestion dynamique de la consommation d'énergie).
Ces différentes étapes lui permettront de proposer une mémoire DDR5 64 Go avec des vitesses de transfert de 4,8 à 5,6 Mbps, soit près de 2 fois plus que la DDR4 avec une tension 1,1V (contre 1,2V pour la DDR4).
La mémoire de SK Hynix comprend un système de correction d'erreur ECC renforçant la fiabilité des échanges de données. Ces atouts de plus faible consommation d'énergie et de meilleure fiabilité seront des arguments forts pour l'adoption de la DDR5 dans les datacenters dans un premier temps, avant une diffusion plus large.
Selon le cabinet d'études Omdia, les attentes envers la DDR5 sont fortes : après le lancement en 2021, la nouvelle mémoire devrait représenter 10% du marché de la DRAM en 2022 et 43% en 2024.