En fin de semaine dernière, Intel et Micron annonçait un module de mémoire Flash NAND MLC ( Multi Level Cell ) 8 Go gravé en 20 nm et bientôt produit par leur coentreprise IMFT. Il n'aura fallu que quelques jours pour que les concurrents Toshiba et SanDisk n'annoncent à leur tour un module Flash NAND MLC 8 Go mais cette fois gravé en 19 nm, passant ainsi au noeud de gravure inférieur.
Il s'agit d'un module X2, combinant donc 2 bits par cellule, dont la fabrication fait appel aux technologies de gravure les plus avancées et qui va permettre de proposer des modules mémoires encore plus compacts pour les produits mobiles et embarqués, à commencer par les tablettes tactiles et les smartphones.
Toujours plus compact
Ces modules seront à la base de futurs disques SSD ( Solid State Drive ), notamment dans des formats ultra-compacts. SanDisk propose ainsi une gamme iSSD ( integrated SSD ) pas plus grande qu'un timbre-poste.