Les fabricants de semiconducteurs sont engagés dans une course aux noeuds gravure de plus en plus fins, permettant d'aboutir à des composants miniaturisés toujours plus puissants et économes en énergie.
Cette progression approche inexorablement des limites de la physique, avec des contraintes grandissantes imposant de coûteuses nouvelles technologies comme la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet) mais dans le le même temps, les cycles de maturation se raccourcissent.
Actuellement capables de proposer de la gravure en 14/16 nm FinFET (avec transistors 3D), que l'on retrouve déjà pour certains composants des smartphones de nouvelle génération comme le Galaxy S7 / S7 Edge, les fondeurs se préparent déjà à basculer vers la gravure 10 nm FinFET, dont les premières productions pourraient débuter dès la fin de l'année et en 2017.
A plus long terme, mais de façon assez rapprochée, c'est la gravure 7 nm FinFET qui est visée et fait l'objet des premiers investissements. Le fondeur taiwanais TSMC se dit déjà prêt à la proposer dès 2018 et il vient de signer un accord stratégique avec la société ARM, spécialiste de la conception des architectures de processeurs, modem et GPU mobiles, pour aller dans ce sens.
Cette alliance prolonge les accords existants entre ces deux partenaires de longue date et étend une collaboration déjà active sur les procédés 16 nm et 10 nm FinFET. La gravure en 7 nm FinFET promet déjà un gain de performances des composants tout en conservant la même consommation d'énergie qu'au noeud 10 nm FinFET.
