Semiconducteurs : GlobalFoundries passe à la gravure 12 nm LP FinFET

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GlobalFoundries

Décidé à aller directement du 14 nm au 7 nm sans passer par la case 10 nm, le fondeur Globalfoundries annonce toutefois l'arrivée de la gravure en 12 nm LP, évolution de son 14 nm.

De la gravure en 14 nm FinFET, le fondeur GlobalFoundries compte passer directement au 7 nm (de type 7LP pour Leading Performance) à partir de 2018, sans passer par la gravure en 10 nm telle que peuvent déjà la proposer les concurrents Samsung ou TSMC.

GlobalFoundries logoLe cycle du 10 nm s'annonce très court et le fondeur entend plutôt investir massivement et durablement sur le 7 nm, amené à être exploité plus longuement. Cela n'empêche pas GlobalFoundries d'annoncer l'arrivée de la gravure en 12 nm FinFET (ou 12LP).

Le noeud 12 nm est un noeud intermédiaire qui permet de réexploiter en grande partie les technologies du noeud 14 nm pour proposer des solutions plus efficientes. Il a l'avantage de ne pas nécessiter les très gros investissements nécessaires pour descendre d'un noeud (comme du 14/16 nm au 10 nm ou du 10 nm au 7 nm) tout en apportant des gains de perfomances.

Ainsi, GlobalFoundries promet une amélioration de 15% de la densité des transistors et un gain d'au moins 10% en performances pour le 12LP par rapport aux solutions 14/16 nm FinFET existantes, et des perfomances équivalentes par rapport à la gravure en 12 nm de la concurrence.

La production se fera sur le site Fab 8 de Saratoga, état de New York, là où se déroule déjà la production de masse des composants gravés en 14 nm FinFET, et sera disponible à partir de 2018.

Cette nouvelle gravure 12 nm FinFET (12LP) vient compléter l'offre de GlobalFoundries autour du 12 nm FD-SOI (12FDX) qui se veut une alternative économique au 10 nm FinFET dans certains cas de figure.

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Vos commentaires

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Le #1981514
Bonne idée de se concentrer sur le 7nm. Mais j'ai des doutes quand à sa production dès l'année prochaine....
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Anonyme