Intel Sapphire Rapids : gravure en 10 nm et structure MCM de 4 chiplets / 80 coeurs

Le groupe Intel a dévoilé début avril ses processeurs pour serveurs Intel Xeon Scalable reposant sur l'architecture Ice Lake-SP et gravés pour la première fois en 10 nm avec technologie de transistors Intel SuperFin.

La génération suivante est déjà connue et apportera un certain nombre d'avancées du fait de l'arrivée de la nouvelle plate-forme Eagle Stream apportant support de la mémoire DDR5 et de l'interface PCIe 5.0.

L'architecture Sapphire Rapids, qui sera au coeur des processeurs Intel Xeon Scalable de quatrième génération, pourra ainsi s'offrir un petit temps d'avance sur AMD et ses processeurs Epyc tout en profitant d'une gravure en 10 nm améliorée, baptisée Enhanced SuperFin (ESF).

Elle mettra également en jeu une structure MCM (Multi-Chip Module) faisant intervenir des chiplets. Des images d'un futur processeur Sapphire Rapids montrent ainsi un regroupement de quatre tuiles de 20 coeurs chacune.

Si l'ensemble comprend théoriquement 80 coeurs, visibles ici après décapage de la puce, Intel devrait jouer la sécurité (et le rendement) en proposant des processeurs Sapphire Rapids allant jusqu'à 56 coeurs / 112 threads avec des tuiles de 15 coeurs (60 coeurs en tout, avec un coeur de secours par tuile).

Caractéristiques de Sapphire Rapids / Credit : Videocardz

Les processeurs Xeon de prochaine génération pourront supporter de la mémoire HMB (jusqu'à 64 Go, pour une bande passante dépassant 1 To/s) ou DDR5 et seront soudés à la carte mère, avec du métal liquide pour échangeur thermique.

Ils exploiteront un nouveau socket LGA4677 et profiteront du lien d'interconnexion CXL 1.1, comme l'a déjà indiqué Intel dans ses roadmaps officielles. Les processeurs Intel Xeon Scalable de 4ème génération sont attendus début 2022.