Bonjour,
Depuis quelques temps, je collectionne des liens vers des sites décrivant
des ordinosaures, de France, ou de pays étrangers dont certains assez
exotiques... (La Russie par exemple, le Brésil...)
Je vous propose de les partager. Et ce sera ici:
http://pichotjm.free.fr/LiensSitesOrdinosaures.html
Bonjour,
Depuis quelques temps, je collectionne des liens vers des sites décrivant
des ordinosaures, de France, ou de pays étrangers dont certains assez
exotiques... (La Russie par exemple, le Brésil...)
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Bonjour,
Depuis quelques temps, je collectionne des liens vers des sites décrivant
des ordinosaures, de France, ou de pays étrangers dont certains assez
exotiques... (La Russie par exemple, le Brésil...)
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http://pichotjm.free.fr/LiensSitesOrdinosaures.html
On y parle de mémoire à corde, au mercure, à ligne à retard, lampes, bulles
magnétiques,.../...
On y parle de mémoire à corde, au mercure, à ligne à retard, lampes, bulles
magnétiques,.../...
On y parle de mémoire à corde, au mercure, à ligne à retard, lampes, bulles
magnétiques,.../...
JMP wrote:
.../...On y parle de mémoire à corde, au mercure, à ligne à retard, lampes,
bulles
magnétiques,.../...
Tant que j'y pense...
j'ai aussi "utilisé" des memoires à condensateurs sur une calculatrice
ICT 550 connectable (à une tabu ou un LP de cartes). Pour faire des
multi ou des divis entre autre. Seul pb, en pas à pas (pour la mise au
pt) il ne fallait pas trop trainer... sinon condensateur déchargés > plus de données! En 110V (j'ai pris des chataignes, car sans méfiance,
en France on est limité à 50 V)
J'ai jamais ouvert l'armoire, je ne connais pas leur "tete"...
** cix **
JMP wrote:
.../...
On y parle de mémoire à corde, au mercure, à ligne à retard, lampes,
bulles
magnétiques,.../...
Tant que j'y pense...
j'ai aussi "utilisé" des memoires à condensateurs sur une calculatrice
ICT 550 connectable (à une tabu ou un LP de cartes). Pour faire des
multi ou des divis entre autre. Seul pb, en pas à pas (pour la mise au
pt) il ne fallait pas trop trainer... sinon condensateur déchargés > plus de données! En 110V (j'ai pris des chataignes, car sans méfiance,
en France on est limité à 50 V)
J'ai jamais ouvert l'armoire, je ne connais pas leur "tete"...
** cix **
JMP wrote:
.../...On y parle de mémoire à corde, au mercure, à ligne à retard, lampes,
bulles
magnétiques,.../...
Tant que j'y pense...
j'ai aussi "utilisé" des memoires à condensateurs sur une calculatrice
ICT 550 connectable (à une tabu ou un LP de cartes). Pour faire des
multi ou des divis entre autre. Seul pb, en pas à pas (pour la mise au
pt) il ne fallait pas trop trainer... sinon condensateur déchargés > plus de données! En 110V (j'ai pris des chataignes, car sans méfiance,
en France on est limité à 50 V)
J'ai jamais ouvert l'armoire, je ne connais pas leur "tete"...
** cix **
Bonjour,
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les 2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les puristes
vont crier!
Avec les MOS ou autres FET, on doit pouvoir faire des mémoires à capacités
pouvant mémoriser 6 ou 8 bits par composants... On est quand même capable de
faire mieux qu'en 1950! (ils ne mettaient qu'un seul bit par composant!)
Bonjour,
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les 2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les puristes
vont crier!
Avec les MOS ou autres FET, on doit pouvoir faire des mémoires à capacités
pouvant mémoriser 6 ou 8 bits par composants... On est quand même capable de
faire mieux qu'en 1950! (ils ne mettaient qu'un seul bit par composant!)
Bonjour,
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les 2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les puristes
vont crier!
Avec les MOS ou autres FET, on doit pouvoir faire des mémoires à capacités
pouvant mémoriser 6 ou 8 bits par composants... On est quand même capable de
faire mieux qu'en 1950! (ils ne mettaient qu'un seul bit par composant!)
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les 2
ms- )
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les 2
ms- )
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les 2
ms- )
Le 19-06-2008, à propos de
Re: Une nouvelle page de liens vers des ordinosaures,
JMP écrivait dans fr.comp.ordinosaures :Bonjour,
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié
de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il
y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les
2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les puristes
vont crier!
Ça n'a rien à voir.
Mémoires dynamiques : on joue avec une charge parasite d'un
transistor a effet de champ qu'il faut rafraîchir sinon les données
sont perdues.
Mémoires statiques : bascule (six transistors). Les mémoires
statiques sont plus rapides, mais six fois plus grosses.
Mémoires flash : on joue avec un effet tunnel (on charge un volume
qui n'est accessible que par un effet tunnel). C'est donné pour
vingt ans.
Avec les MOS ou autres FET, on doit pouvoir faire des mémoires à
capacités
pouvant mémoriser 6 ou 8 bits par composants... On est quand même capable
de
faire mieux qu'en 1950! (ils ne mettaient qu'un seul bit par composant!)
Gnî ? Parce que c'est petit, ça fonctionne en tout ou rien.
Le 19-06-2008, à propos de
Re: Une nouvelle page de liens vers des ordinosaures,
JMP écrivait dans fr.comp.ordinosaures :
Bonjour,
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié
de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il
y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les
2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les puristes
vont crier!
Ça n'a rien à voir.
Mémoires dynamiques : on joue avec une charge parasite d'un
transistor a effet de champ qu'il faut rafraîchir sinon les données
sont perdues.
Mémoires statiques : bascule (six transistors). Les mémoires
statiques sont plus rapides, mais six fois plus grosses.
Mémoires flash : on joue avec un effet tunnel (on charge un volume
qui n'est accessible que par un effet tunnel). C'est donné pour
vingt ans.
Avec les MOS ou autres FET, on doit pouvoir faire des mémoires à
capacités
pouvant mémoriser 6 ou 8 bits par composants... On est quand même capable
de
faire mieux qu'en 1950! (ils ne mettaient qu'un seul bit par composant!)
Gnî ? Parce que c'est petit, ça fonctionne en tout ou rien.
Le 19-06-2008, à propos de
Re: Une nouvelle page de liens vers des ordinosaures,
JMP écrivait dans fr.comp.ordinosaures :Bonjour,
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié
de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il
y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les
2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les puristes
vont crier!
Ça n'a rien à voir.
Mémoires dynamiques : on joue avec une charge parasite d'un
transistor a effet de champ qu'il faut rafraîchir sinon les données
sont perdues.
Mémoires statiques : bascule (six transistors). Les mémoires
statiques sont plus rapides, mais six fois plus grosses.
Mémoires flash : on joue avec un effet tunnel (on charge un volume
qui n'est accessible que par un effet tunnel). C'est donné pour
vingt ans.
Avec les MOS ou autres FET, on doit pouvoir faire des mémoires à
capacités
pouvant mémoriser 6 ou 8 bits par composants... On est quand même capable
de
faire mieux qu'en 1950! (ils ne mettaient qu'un seul bit par composant!)
Gnî ? Parce que c'est petit, ça fonctionne en tout ou rien.
Bonjour à tous,
Il fallait prendre ce message comme une boutade!
Bien sûr qu'on est loin de systèmes à capacités montées sur une roue et
analysées par des contacts électriques...
"JKB" a écrit dans le message de news:Le 19-06-2008, à propos de
Re: Une nouvelle page de liens vers des ordinosaures,
JMP écrivait dans fr.comp.ordinosaures :Bonjour,
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié
de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il
y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les
2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les puristes
vont crier!
Ça n'a rien à voir.
Mémoires dynamiques : on joue avec une charge parasite d'un
transistor a effet de champ qu'il faut rafraîchir sinon les données
sont perdues.
Il n'empêche que les charges électriques sont stockées dans une zone micro
electronique qui constitue une capacité .
Et c'est parce que cette capacité fuit (thermique, isolation
insuffisante,...) qu'il faut regénérer sa tension. (ou remettre des
électrons)Mémoires statiques : bascule (six transistors). Les mémoires
statiques sont plus rapides, mais six fois plus grosses.
Je n'avais pas parlé de mémoires statiques. En effet on n'utilise pas
d'effet capacitif dans cette technologie.
Plus rapide mais surtout plus simple à utiliser. Les dynamiques peuvent être
très rapides, mais cela influe sur l'architecture, au prix de
complication...
Mémoires flash : on joue avec un effet tunnel (on charge un volume
qui n'est accessible que par un effet tunnel). C'est donné pour
vingt ans.
Il n'en reste pas moins que l'on joue encore sur un effet capacitif. Que les
électrons soient injectés par effet tunnel ou d'une autre manière. On place
des électrons dans un endroit et on les bloque.
Par contre espérer que cela va tenir 20 ans, c'est être un peu trop
optimiste. ou alors avec une spécification irréaliste (style 20°C, et en
jouant sur les mots...) on parle de 100 000 écritures possibles: possible ne
veut pas dire garantie.
L'ECC utilisé avec les nands peuvent donner cette illusion, mais au delà
d'un certain taux d'erreurs, tout s'arrête! Regardez autour de vous, on voit
des cas de mémoire en panne.
Avec les MOS ou autres FET, on doit pouvoir faire des mémoires à
capacités
pouvant mémoriser 6 ou 8 bits par composants... On est quand même capable
de
faire mieux qu'en 1950! (ils ne mettaient qu'un seul bit par composant!)
Gnî ? Parce que c'est petit, ça fonctionne en tout ou rien.
JMP
Bonjour à tous,
Il fallait prendre ce message comme une boutade!
Bien sûr qu'on est loin de systèmes à capacités montées sur une roue et
analysées par des contacts électriques...
"JKB" <knatschke@koenigsberg.fr> a écrit dans le message de news:
slrng5l5ts.dm1.knatschke@rayleigh.systella.fr...
Le 19-06-2008, à propos de
Re: Une nouvelle page de liens vers des ordinosaures,
JMP écrivait dans fr.comp.ordinosaures :
Bonjour,
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié
de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il
y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les
2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les puristes
vont crier!
Ça n'a rien à voir.
Mémoires dynamiques : on joue avec une charge parasite d'un
transistor a effet de champ qu'il faut rafraîchir sinon les données
sont perdues.
Il n'empêche que les charges électriques sont stockées dans une zone micro
electronique qui constitue une capacité .
Et c'est parce que cette capacité fuit (thermique, isolation
insuffisante,...) qu'il faut regénérer sa tension. (ou remettre des
électrons)
Mémoires statiques : bascule (six transistors). Les mémoires
statiques sont plus rapides, mais six fois plus grosses.
Je n'avais pas parlé de mémoires statiques. En effet on n'utilise pas
d'effet capacitif dans cette technologie.
Plus rapide mais surtout plus simple à utiliser. Les dynamiques peuvent être
très rapides, mais cela influe sur l'architecture, au prix de
complication...
Mémoires flash : on joue avec un effet tunnel (on charge un volume
qui n'est accessible que par un effet tunnel). C'est donné pour
vingt ans.
Il n'en reste pas moins que l'on joue encore sur un effet capacitif. Que les
électrons soient injectés par effet tunnel ou d'une autre manière. On place
des électrons dans un endroit et on les bloque.
Par contre espérer que cela va tenir 20 ans, c'est être un peu trop
optimiste. ou alors avec une spécification irréaliste (style 20°C, et en
jouant sur les mots...) on parle de 100 000 écritures possibles: possible ne
veut pas dire garantie.
L'ECC utilisé avec les nands peuvent donner cette illusion, mais au delà
d'un certain taux d'erreurs, tout s'arrête! Regardez autour de vous, on voit
des cas de mémoire en panne.
Avec les MOS ou autres FET, on doit pouvoir faire des mémoires à
capacités
pouvant mémoriser 6 ou 8 bits par composants... On est quand même capable
de
faire mieux qu'en 1950! (ils ne mettaient qu'un seul bit par composant!)
Gnî ? Parce que c'est petit, ça fonctionne en tout ou rien.
JMP
Bonjour à tous,
Il fallait prendre ce message comme une boutade!
Bien sûr qu'on est loin de systèmes à capacités montées sur une roue et
analysées par des contacts électriques...
"JKB" a écrit dans le message de news:Le 19-06-2008, à propos de
Re: Une nouvelle page de liens vers des ordinosaures,
JMP écrivait dans fr.comp.ordinosaures :Bonjour,
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié
de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms, il
y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes les
2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les puristes
vont crier!
Ça n'a rien à voir.
Mémoires dynamiques : on joue avec une charge parasite d'un
transistor a effet de champ qu'il faut rafraîchir sinon les données
sont perdues.
Il n'empêche que les charges électriques sont stockées dans une zone micro
electronique qui constitue une capacité .
Et c'est parce que cette capacité fuit (thermique, isolation
insuffisante,...) qu'il faut regénérer sa tension. (ou remettre des
électrons)Mémoires statiques : bascule (six transistors). Les mémoires
statiques sont plus rapides, mais six fois plus grosses.
Je n'avais pas parlé de mémoires statiques. En effet on n'utilise pas
d'effet capacitif dans cette technologie.
Plus rapide mais surtout plus simple à utiliser. Les dynamiques peuvent être
très rapides, mais cela influe sur l'architecture, au prix de
complication...
Mémoires flash : on joue avec un effet tunnel (on charge un volume
qui n'est accessible que par un effet tunnel). C'est donné pour
vingt ans.
Il n'en reste pas moins que l'on joue encore sur un effet capacitif. Que les
électrons soient injectés par effet tunnel ou d'une autre manière. On place
des électrons dans un endroit et on les bloque.
Par contre espérer que cela va tenir 20 ans, c'est être un peu trop
optimiste. ou alors avec une spécification irréaliste (style 20°C, et en
jouant sur les mots...) on parle de 100 000 écritures possibles: possible ne
veut pas dire garantie.
L'ECC utilisé avec les nands peuvent donner cette illusion, mais au delà
d'un certain taux d'erreurs, tout s'arrête! Regardez autour de vous, on voit
des cas de mémoire en panne.
Avec les MOS ou autres FET, on doit pouvoir faire des mémoires à
capacités
pouvant mémoriser 6 ou 8 bits par composants... On est quand même capable
de
faire mieux qu'en 1950! (ils ne mettaient qu'un seul bit par composant!)
Gnî ? Parce que c'est petit, ça fonctionne en tout ou rien.
JMP
Il fallait prendre ce message comme une boutade!
Bien sûr qu'on est loin de systèmes à capacités montées sur une roue et
analysées par des contacts électriques...Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié
de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la
charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms,
il
y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes
les
2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les
puristes
vont crier!
Ça n'a rien à voir.
Mémoires dynamiques : on joue avec une charge parasite d'un
transistor a effet de champ qu'il faut rafraîchir sinon les données
sont perdues.
Il n'empêche que les charges électriques sont stockées dans une zone
micro
electronique qui constitue une capacité .
Et c'est parce que cette capacité fuit (thermique, isolation
insuffisante,...) qu'il faut regénérer sa tension. (ou remettre des
électrons)Mémoires statiques : bascule (six transistors). Les mémoires
statiques sont plus rapides, mais six fois plus grosses.
Je n'avais pas parlé de mémoires statiques. En effet on n'utilise pas
d'effet capacitif dans cette technologie.
Plus rapide mais surtout plus simple à utiliser. Les dynamiques peuvent
être
très rapides, mais cela influe sur l'architecture, au prix de
complication...
s/dynamique/statique/Mémoires flash : on joue avec un effet tunnel (on charge un volume
qui n'est accessible que par un effet tunnel). C'est donné pour
vingt ans.
Il n'en reste pas moins que l'on joue encore sur un effet capacitif. Que
les
électrons soient injectés par effet tunnel ou d'une autre manière. On
place
des électrons dans un endroit et on les bloque.
Non, ça n'est pas une capacité puisqu'on ne retient pas une charge
par un effet électrostatique. C'est tout au plus comparable à un
MOS dont la jonction isolante est un genre de diode à effet tunnel.
On ne va pas rentrer dans la physique des semiconducteurs.
En mémoire flash, les données sont directement lisibles sans
destruction, ce qui n'est pas le cas en mémoire dynamique.
Par contre espérer que cela va tenir 20 ans, c'est être un peu trop
optimiste. ou alors avec une spécification irréaliste (style 20°C, et en
jouant sur les mots...) on parle de 100 000 écritures possibles: possible
ne
veut pas dire garantie.
Non. Ça tient 20 ans (j'ai des circuits de 1984 qui sont toujours
bons, et pas vraiment stockés à 20 degrés. Bon, c'est de l'UVPROM,
mais la techno de base est la même, seul l'effacement change. Sinon,
j'ai des Flash de 1993 qui sont toujorus bonnes aussi). Maintenant, on
fait
aussi de la flash bas de gamme qui ne tient dans les faits que 1000
cycles et deux ou trois ans. Cela dépend essentiellement de la
qualité des jonctions et de la façon de lire les données.
L'ECC utilisé avec les nands peuvent donner cette illusion, mais au delà
d'un certain taux d'erreurs, tout s'arrête! Regardez autour de vous, on
voit
des cas de mémoire en panne.
Ne mélagez pas tout. L'ECC n'a rien à voir avec une technologie de
mémoire. L'ECC est là dans les faits pour deux choses :
- écouler des composants de merde en partant du principe que la
correction d'erreur obviera aux défauts des mémoires;
- permettre de suivre la bonne santé des mémoire dans les
environnements sévères.
Il fallait prendre ce message comme une boutade!
Bien sûr qu'on est loin de systèmes à capacités montées sur une roue et
analysées par des contacts électriques...
Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié
de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la
charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms,
il
y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes
les
2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les
puristes
vont crier!
Ça n'a rien à voir.
Mémoires dynamiques : on joue avec une charge parasite d'un
transistor a effet de champ qu'il faut rafraîchir sinon les données
sont perdues.
Il n'empêche que les charges électriques sont stockées dans une zone
micro
electronique qui constitue une capacité .
Et c'est parce que cette capacité fuit (thermique, isolation
insuffisante,...) qu'il faut regénérer sa tension. (ou remettre des
électrons)
Mémoires statiques : bascule (six transistors). Les mémoires
statiques sont plus rapides, mais six fois plus grosses.
Je n'avais pas parlé de mémoires statiques. En effet on n'utilise pas
d'effet capacitif dans cette technologie.
Plus rapide mais surtout plus simple à utiliser. Les dynamiques peuvent
être
très rapides, mais cela influe sur l'architecture, au prix de
complication...
s/dynamique/statique/
Mémoires flash : on joue avec un effet tunnel (on charge un volume
qui n'est accessible que par un effet tunnel). C'est donné pour
vingt ans.
Il n'en reste pas moins que l'on joue encore sur un effet capacitif. Que
les
électrons soient injectés par effet tunnel ou d'une autre manière. On
place
des électrons dans un endroit et on les bloque.
Non, ça n'est pas une capacité puisqu'on ne retient pas une charge
par un effet électrostatique. C'est tout au plus comparable à un
MOS dont la jonction isolante est un genre de diode à effet tunnel.
On ne va pas rentrer dans la physique des semiconducteurs.
En mémoire flash, les données sont directement lisibles sans
destruction, ce qui n'est pas le cas en mémoire dynamique.
Par contre espérer que cela va tenir 20 ans, c'est être un peu trop
optimiste. ou alors avec une spécification irréaliste (style 20°C, et en
jouant sur les mots...) on parle de 100 000 écritures possibles: possible
ne
veut pas dire garantie.
Non. Ça tient 20 ans (j'ai des circuits de 1984 qui sont toujours
bons, et pas vraiment stockés à 20 degrés. Bon, c'est de l'UVPROM,
mais la techno de base est la même, seul l'effacement change. Sinon,
j'ai des Flash de 1993 qui sont toujorus bonnes aussi). Maintenant, on
fait
aussi de la flash bas de gamme qui ne tient dans les faits que 1000
cycles et deux ou trois ans. Cela dépend essentiellement de la
qualité des jonctions et de la façon de lire les données.
L'ECC utilisé avec les nands peuvent donner cette illusion, mais au delà
d'un certain taux d'erreurs, tout s'arrête! Regardez autour de vous, on
voit
des cas de mémoire en panne.
Ne mélagez pas tout. L'ECC n'a rien à voir avec une technologie de
mémoire. L'ECC est là dans les faits pour deux choses :
- écouler des composants de merde en partant du principe que la
correction d'erreur obviera aux défauts des mémoires;
- permettre de suivre la bonne santé des mémoire dans les
environnements sévères.
Il fallait prendre ce message comme une boutade!
Bien sûr qu'on est loin de systèmes à capacités montées sur une roue et
analysées par des contacts électriques...Des mémoires à condensateurs, on en utilise tous les jours! j'ai oublié
de
préciser que les mémoires dynamiques actuelles sont basées sur la
charge
dans des micro condensateurs. (fento farad... durée de la charge 2 ms,
il
y
a 10 ans -Je ne sais pas si on fait, de nos jours, un refresh toutes
les
2
ms- )
On pourrait aussi dire que les mémoires flash utilisent aussi des
condensateurs, mais qui eux se déchargent en 5 ans (environ) Les
puristes
vont crier!
Ça n'a rien à voir.
Mémoires dynamiques : on joue avec une charge parasite d'un
transistor a effet de champ qu'il faut rafraîchir sinon les données
sont perdues.
Il n'empêche que les charges électriques sont stockées dans une zone
micro
electronique qui constitue une capacité .
Et c'est parce que cette capacité fuit (thermique, isolation
insuffisante,...) qu'il faut regénérer sa tension. (ou remettre des
électrons)Mémoires statiques : bascule (six transistors). Les mémoires
statiques sont plus rapides, mais six fois plus grosses.
Je n'avais pas parlé de mémoires statiques. En effet on n'utilise pas
d'effet capacitif dans cette technologie.
Plus rapide mais surtout plus simple à utiliser. Les dynamiques peuvent
être
très rapides, mais cela influe sur l'architecture, au prix de
complication...
s/dynamique/statique/Mémoires flash : on joue avec un effet tunnel (on charge un volume
qui n'est accessible que par un effet tunnel). C'est donné pour
vingt ans.
Il n'en reste pas moins que l'on joue encore sur un effet capacitif. Que
les
électrons soient injectés par effet tunnel ou d'une autre manière. On
place
des électrons dans un endroit et on les bloque.
Non, ça n'est pas une capacité puisqu'on ne retient pas une charge
par un effet électrostatique. C'est tout au plus comparable à un
MOS dont la jonction isolante est un genre de diode à effet tunnel.
On ne va pas rentrer dans la physique des semiconducteurs.
En mémoire flash, les données sont directement lisibles sans
destruction, ce qui n'est pas le cas en mémoire dynamique.
Par contre espérer que cela va tenir 20 ans, c'est être un peu trop
optimiste. ou alors avec une spécification irréaliste (style 20°C, et en
jouant sur les mots...) on parle de 100 000 écritures possibles: possible
ne
veut pas dire garantie.
Non. Ça tient 20 ans (j'ai des circuits de 1984 qui sont toujours
bons, et pas vraiment stockés à 20 degrés. Bon, c'est de l'UVPROM,
mais la techno de base est la même, seul l'effacement change. Sinon,
j'ai des Flash de 1993 qui sont toujorus bonnes aussi). Maintenant, on
fait
aussi de la flash bas de gamme qui ne tient dans les faits que 1000
cycles et deux ou trois ans. Cela dépend essentiellement de la
qualité des jonctions et de la façon de lire les données.
L'ECC utilisé avec les nands peuvent donner cette illusion, mais au delà
d'un certain taux d'erreurs, tout s'arrête! Regardez autour de vous, on
voit
des cas de mémoire en panne.
Ne mélagez pas tout. L'ECC n'a rien à voir avec une technologie de
mémoire. L'ECC est là dans les faits pour deux choses :
- écouler des composants de merde en partant du principe que la
correction d'erreur obviera aux défauts des mémoires;
- permettre de suivre la bonne santé des mémoire dans les
environnements sévères.
> Ne mélagez pas tout. L'ECC n'a rien à voir avec une technologie de
> mémoire. L'ECC est là dans les faits pour deux choses :
> - écouler des composants de merde en partant du principe que la
> correction d'erreur obviera aux défauts des mémoires;
> - permettre de suivre la bonne santé des mémoire dans les
> environnements sévères.
Et bien si! les dernières mémoires utilisent plusieurs niveaux de tension
pour mémoriser plusieurs bits par cellule. (2 et maintenant 3) et comme ce
processus introduit des erreurs lors des lectures, il y a de l'ECC dans les
boitiers mémoire. (ECC à prendre dans le sens correction des erreurs, sans
préciser la technologie, les polynomes ou autre)
C'est d'ailleurs pour cela que certains boitiers, qui se mettent à
'déconner' peuvent à nouveau refonctionner après un formattage. Et cela ne
va pas garantir la pérénité de la mémoire, qui risque de lacher très
rapidement... Conseil ne plus utiliser ce genre de boitier si vous tennez à
vos photos.
> Ne mélagez pas tout. L'ECC n'a rien à voir avec une technologie de
> mémoire. L'ECC est là dans les faits pour deux choses :
> - écouler des composants de merde en partant du principe que la
> correction d'erreur obviera aux défauts des mémoires;
> - permettre de suivre la bonne santé des mémoire dans les
> environnements sévères.
Et bien si! les dernières mémoires utilisent plusieurs niveaux de tension
pour mémoriser plusieurs bits par cellule. (2 et maintenant 3) et comme ce
processus introduit des erreurs lors des lectures, il y a de l'ECC dans les
boitiers mémoire. (ECC à prendre dans le sens correction des erreurs, sans
préciser la technologie, les polynomes ou autre)
C'est d'ailleurs pour cela que certains boitiers, qui se mettent à
'déconner' peuvent à nouveau refonctionner après un formattage. Et cela ne
va pas garantir la pérénité de la mémoire, qui risque de lacher très
rapidement... Conseil ne plus utiliser ce genre de boitier si vous tennez à
vos photos.
> Ne mélagez pas tout. L'ECC n'a rien à voir avec une technologie de
> mémoire. L'ECC est là dans les faits pour deux choses :
> - écouler des composants de merde en partant du principe que la
> correction d'erreur obviera aux défauts des mémoires;
> - permettre de suivre la bonne santé des mémoire dans les
> environnements sévères.
Et bien si! les dernières mémoires utilisent plusieurs niveaux de tension
pour mémoriser plusieurs bits par cellule. (2 et maintenant 3) et comme ce
processus introduit des erreurs lors des lectures, il y a de l'ECC dans les
boitiers mémoire. (ECC à prendre dans le sens correction des erreurs, sans
préciser la technologie, les polynomes ou autre)
C'est d'ailleurs pour cela que certains boitiers, qui se mettent à
'déconner' peuvent à nouveau refonctionner après un formattage. Et cela ne
va pas garantir la pérénité de la mémoire, qui risque de lacher très
rapidement... Conseil ne plus utiliser ce genre de boitier si vous tennez à
vos photos.