Samsung : les modules V-NAND 512 Go en eUFS 3.0 entrent en production
Après avoir annoncé la production de modules eUFS 2.1 à 1 To plus tôt dans l'année, Samsung passe à la vitesse supérieure avec la mise en production de mémoire V-NAND eUFS 3.0 de 512 Go pour équiper de futurs smartphones.
Avec les nouvelles connectivités sans fil et cellulaires offrant des capacités plus importantes et les fonctionnalités plus gourmandes en mémoire, de l'enregistrement vidéo en 4K au stockage de fichiers toujours plus volumineux, les smartphones vont nécessiter des capacités plus importantes mais aussi des performances plus élevées pour réduire les temps d'accès et de transfert.
Après avoir annoncé au début de l'année le lancement de la production de modules eUFS 2.1 de 1 To, Samsung, leader mondial des composants mémoire, annonce maintenant la mise en production de modules V-NAND (NAND 3D) de 512 Go en eUFS 3.0.
La promesse est de doubler les performances par rapport à l'eUFS 2.1 et d'apporter "une vitesse de lecture qui n'était possible que sur les ultraportables". Et déjà, Samsung se dit en mesure de produire des modules 1 To en eUFS 3.0 plus tard dans l'année.
Les modules intègrent 8 dies de V-NAND de 5ème génération de 512 Gb (64 Go) avec une vitesse de lecture séquentielle de 2100 Mbps doublée par rapport à l'eUFS 2.1, plus rapide qu'un disque SSD et plus de 20 fois plus performante qu'une carte microSD standard.
En lecture / écriture aléatoire, la progression est d'un tiers par rapport à l'eUFS 2.1, avec respectivement avec 63 000 et 68 000 IOPS, très loin des 100 IOPS des cartes microSD et permettant d'offrir une réactivité totale. Bientôt dans le Galaxy Note 10 du second semestre ?
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Le groupe Samsung lance la production de masse de ses composants eUFS 3.1 de 512 Go qui équiperont les smartphones de dernière génération. -
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Les smartphones vont bientôt pouvoir embarquer jusqu'à 512 Go de mémoire de stockage grâce à la mise en production de nouveaux composants mémoire UFS chez Samsung.
Vos commentaires
ça dépend du SSD qu'ils parlent, et sur une Carte MicroSD "standard", j'ai connu des classe 10 avec 7mo/s en lecture...
Bon ok j'abuse, 210mo/s théorique en lecture, c'est déjà pas mal, mais pourquoi ne se vantent-ils pas plus sur l'écriture? J'ai envie de rire un peu !