Samsung : de la gravure en 8LPU et du 7LPP en EUV en approche

Le par  |  6 commentaire(s) Source : AnandTech
Wafer logo

Samsung développe ses technologies de gravure, à la fois pour optimiser le noeud 10 nm et pour préparer son arrivée sur le 7 nm FinFET avec l'atout de la lithographie EUV.

Si le concurrent TSMC a pris les devants en matière de gravure en 7 nm et récupéré tous les gros clients cette année, Samsung n'a pas dit son dernier mot et prépare sa propre technologie de gravure en 7 nm avec l'avantage de la lithographie EUV.

7 nm 7LPP

Samsung logo proCette évolution servira vraisemblablement en premier lieu les intérêts de Samsung Electronics avec un premier SoC Exynos gravé en 7 nm dans le Galaxy S10 de début 2019.

Samsung Foundry a déjà installé plusieurs machines EUV du fournisseur ASML sur son site coréen Fab S3 de Hwaseong qui doit accueillir un nouvelle aile spécifiquement conçue pour l'EUV, et prépare sa montée en production pour du 7LPP (7 nm Low Power Plus).

En attendant, la gravure en 10 nm n'a pas dit son dernier mot et Samsung prépare une optimisation 8LPU (8 nm Low Power Ultimate) sur les bases du 8LPP, lui-même une évolution du 10LPP.

8 nm 8LPU

Le 8LPU permettra vraisemblablement d'accroître encore un peu la densité en transistors par rapport au 8LPP. Ces deux technologies apportent des performances plus pointues que le 10LPP / 10 LPU pour des clients qui ne peuvent par ailleurs pas basculer vers de la gravure en 7 nm.

La mise en préproduction de la gravure en 8LPU est prévue cette année, ce qui devrait permettre de proposer la technologie dès l'an prochain.

Vers le 5 nm puis le 3 nm

Par la suite, Samsung pense déjà à la gravure en 5 et 4 nm avec des technologies 5LPE (Low Power Early), 4LPE et 4LPP programmées. Pour ce noeud de gravure, la firme continuera d'exploiter des technologies FinFET (transistors 3D) et la lithographie EUV.

La préproduction du 5 / 4 nm pourrait débuter dès 2019, ce qui tend à indiquer que la gravure en 5 nm pourra être proposée dans le même temps du cycle du 7 nm, et non à sa suite. On restera prudent sur ces timings prévisionnels, dans la mesure où les obstacles techniques ne sont pas tous résolus et tandis que les investissements deviennent très lourds.

Samsung Foundry commence même à évoquer de la gravure en 3 nm qui nécessitera d'abandonner le FinFET pour du GAAFET (Gate-All-Around) sur une base MBCFET (Multi-bridge-channel FET) donnant des gravures 3GAAE et 3GAAP.

Complément d'information
  • Samsung : la gravure en 3 nm GAA dessine l'après FinFET
    Alors que la gravure en 7 nm entre dans les moeurs et qu'il est déjà question des variations en 6 nm et 5 nm, Samsung prend les devants et évoque la gravure...en 3 nm et les procédés qui doivent remplacer le FinFET (transistors 3D).
  • Samsung : cap sur la gravure en 5 nm EUV
    Bousculé par TSMC sur la gravure en 7 nm, le groupe Samsung n'a pas dit son dernier mot et annonce la finalisation de sa technique de gravure en 5 nm EUV.

Vos commentaires

Gagnez chaque mois un abonnement Premium avec GNT : Inscrivez-vous !
Trier par : date / pertinence
Le #2030730
"Samsung Foundry commence même à évoquer de la gravure en 3 nm qui nécessitera d'abandonner le FinFET pour du GAAFET (Gate-All-Around) sur une base MBCFET (Multi-bridge-channel FET) donnant des gravures 3GAAE et 3GAAP."

J'ai l'impression que les choses s'accélèrent de plus en plus. On a souvent eu des discussions sur les limites qui ne pourront plus être franchies mais vraiment j'ai l'impression que les annonces entre chaque step sont de plus en plus rapprochées
Anonyme
Le #2030738
skynet a écrit :

"Samsung Foundry commence même à évoquer de la gravure en 3 nm qui nécessitera d'abandonner le FinFET pour du GAAFET (Gate-All-Around) sur une base MBCFET (Multi-bridge-channel FET) donnant des gravures 3GAAE et 3GAAP."

J'ai l'impression que les choses s'accélèrent de plus en plus. On a souvent eu des discussions sur les limites qui ne pourront plus être franchies mais vraiment j'ai l'impression que les annonces entre chaque step sont de plus en plus rapprochées


L'oncle Sam ne fait pas semblant.
Le #2030748
Luxus a écrit :

skynet a écrit :

"Samsung Foundry commence même à évoquer de la gravure en 3 nm qui nécessitera d'abandonner le FinFET pour du GAAFET (Gate-All-Around) sur une base MBCFET (Multi-bridge-channel FET) donnant des gravures 3GAAE et 3GAAP."

J'ai l'impression que les choses s'accélèrent de plus en plus. On a souvent eu des discussions sur les limites qui ne pourront plus être franchies mais vraiment j'ai l'impression que les annonces entre chaque step sont de plus en plus rapprochées


L'oncle Sam ne fait pas semblant.


L'oncle Sam ? Il est à la rue oui !
Le #2030753
bcp de charbaia technique
Le #2030755
Truffor a écrit :

Luxus a écrit :

skynet a écrit :

"Samsung Foundry commence même à évoquer de la gravure en 3 nm qui nécessitera d'abandonner le FinFET pour du GAAFET (Gate-All-Around) sur une base MBCFET (Multi-bridge-channel FET) donnant des gravures 3GAAE et 3GAAP."

J'ai l'impression que les choses s'accélèrent de plus en plus. On a souvent eu des discussions sur les limites qui ne pourront plus être franchies mais vraiment j'ai l'impression que les annonces entre chaque step sont de plus en plus rapprochées


L'oncle Sam ne fait pas semblant.


L'oncle Sam ? Il est à la rue oui !


Et pourtant en septembre 2015,
IBM Research annonce avoir mis au point une technique de gravure
à seulement 7 nanomètres, soit trois fois moins que les processeurs promis pour 2016.

Donc méfiances.
Comment distinguer ce qui est bluff de ce qui est une réelle annonce ?
Le #2030770
Au lieu de vérifier le masque de gravure, il est aussi possible de vérifier les processeurs fabriqués.
Samsung semble le plus avancé sur ce point, avec un outil d’inspection par actinisme.

Samsung a commencé la production de ses SoC Exynos 9820 gravé en 7 nm 7LPP, qui équiperont ses Galaxy S10.

Il serait très intéressant de connaître le taux de rebus !
Est-il descendu en dessous de 60% ?
Suivre les commentaires
Poster un commentaire
Anonyme
Anonyme