Après avoir annoncé une mémoire HBM2 Aquabolt (High Bandwith Memory) en janvier 2018, le groupe Samsung passe à la vitesse supérieure avec la spécification HBM2E Flashbolt encore plus rapide pour les prochaines générations de cartes graphiques premium.

Samsung-logo Là où la génération précédente proposait des modules 8 Go avec 8 dies de 8 Gb empilés, Flashbolt propose des modules mémoire 16 Go avec toujours 8 dies mais cette fois et 16 Gb et avec une bande passante par broche qui passe à 3,2 Gbps, au lieu de 2,4 Gbps précédemment.

Un package HBM2E de 16 Go pourra ainsi offrir une bande passante de 410 Go/s, contre 307 Go/s pour Aquabolt. Samsung ne donne pas d'indication sur la tension et on ne sait donc pas encore si elle évolue par rapport à celle de 1,2 Volt d'Aquabolt, qui progressait par rapport à celle de 1,35 Volt de la génération précédente (Flarebolt), pas plus qu'il n'y a d'indications sur le noeud de gravure utilisé.

La mémoire HBM2E Flashbolt de Samsung se retrouvera dans des composants pour datacenters, HPC ou encore pour des applications d'intelligence artificielle ou demandant de grosses ressources graphiques mais la production de masse ne semble pas être encore lancée.