Actuellement, les plus grandes capacités de stockage proposées sur smartphone atteignent 256 Go et restent réservées aux modèles premium. Mais avec la montée des usages sur les appareils mobiles et l'augmentation de la taille des photos et vidéos obtenues avec les capteurs toujours plus performants de ces derniers, la possibilité d'augmenter l'espace de stockage n'est pas anodine.
Le groupe Samsung l'a bien compris et vient d'annoncer le lancement de la production de masse de composants mémoire eUFS de 512 Go destinés à être intégrés dans des smartphones, des tablettes et autres gadgets nécessitant beaucoup de stockage.
Ces nouveaux composants exploitent de la V-NAND 512 Gigabit en 64 couches intégrée à un contrôleur. Ce rapprochement des éléments permet de proposer une solution très compacte qui conserve le même volume qu'une solution UFS 256 Go, un aspect particulièrement stratégique au regard de l'espace intérieur contraint des smartphones, permettant de stocker jusqu'à 130 vidéos 4K de 10 minutes, précise le communiqué. Samsung a en outre ajouté un circuit de gestion de la consommation d'énergie.
Samsung annonce des vitesses de lecture de 860 Mbps et d'écriture de 255 Mbps, ce qui donne la possibilité de transférer une vidéo Full HD de 5 Go vers un SSD en l'espace de 6 secondes seulement, soit 8 fois plus vite qu'avec une carte microSD.
En opérations aléatoires, cette nouvelle mémoire eUFS 512 Go assure 42 000 IOPS en lecture et 40 000 IOPS en écriture. Avec ce composant, Samsung devrait rester incontournable dans les mémoires pour smartphones, ce qui a participé à doper les ventes de sa branche semiconducteurs, au point de passer devant Intel.
On devrait logiquement commencer à trouver cette capacité de stockage de 512 Go dans les smartphones de référence de Samsung prévus l'an prochain, du Galaxy S9 au Galaxy Note 9.
