Samsung lance la production de mémoire magnétique eMRAM en FD-SOI

Le par  |  0 commentaire(s)
Samsung eMRAM

Samsung annonce la mise en production de mémoire magnétique eMRAM gravée en 28 nm FD-SOI qui vise à remplacer les composants Flash grâce à des performances très supérieures.

La MRAM (Magnetic Random Access Memory) offre de très intéressantes caractéristiques comme solution de stockage alternative à la RAM et à la mémoire Flash en combinant les performances de la première et la persistance de la seconde.

Le groupe Samsung, leader mondial des composants mémoire, s'y intéresse depuis plusieurs années et vient d'annoncer le lancement de la production de son premier module eMRAM (embedded MRAM) en 28FDS, soit une gravure en 28 nm utilisant le procédé FD-SOI, en attendant de passer prochainement au 18FDS.

Samsung eMRAM 01

La eMRAM pourrait résoudre certains obstacles auxquels se confronte la mémoire eFlash avec la montée des capacités, avec des arguments de poids tels qu'une vitesse d'écriture 1000 fois plus rapide que la mémoire Flash embarquée.

  

Cela est dû au fait que la eMRAM ne nécessite pas de cycle d'effacement préalable avant écriture des données. En maintenant ses données même en cas de coupure de courant, elle offre aussi une bonne efficacité énergétique, d'autant plus que le procédé FD-SOI permet de réduire les fuites de courant.

Samsung y voit des applications dans divers domaines tels que les contrôleurs MCU, l'internet des objets (IoT) ou encore l'intelligence artificielle. Un première puce de test eMRAM 1 Gb (125 Mo) intégrable dans des solutions de stockage doit être produite plus tard dans l'année.

Complément d'information

Vos commentaires

Gagnez chaque mois un abonnement Premium avec GNT : Inscrivez-vous !
Suivre les commentaires
Poster un commentaire
Anonyme
Anonyme