Après la bataille sur les noeuds 7 et 5 nm face au leader mondial TSMC, Samsung Foundry espère bien prendre l'avantage avec le noeud 3 nm en utilisant directement un nouveau type de transistor dit GAA (Gate All Around) en remplacement du FinFET.
Mettre au point ce process lui donnerait un avantage en terme de performances et de faible consommation d'énergie (avec des fuites de courant mieux maîtrisées) alors que TSMC, pour aller au plus vite, resterait dans un premier temps sur du FinFET.
Cela demande toutefois de concevoir de nouveaux équipements de production et de validation. Samsung s'est donc associé à Synopsys, fournisseur de solutions EDA (Electronic Design Automation) pour réaliser ce travail de mise au point des outils en combinant le 3GAA de Samsung et la plate-forme Fusion Design de ce dernier, avec la finalisation d'une première puce de test validant les technologies mises en oeuvre.
L'un des premiers clients devrait logiquement être Samsung LSI pour la production de futurs SoC exploitant le noeud de gravure en 3 nm, mais pas avant plusieurs années, les noeuds 7, 5 et 4 nm ayant encore beaucoup à offrir.
Il sera intéressant de voir si TSMC parviendra une nouvelle fois à damer le pion à Samsung sur la gravure en 3 nm en se positionnant le premier sur le marché mais en passant par une ultime optimisation du FinFET avant de passer au GAA.
Et déjà se profilent les gravures en 2 nm et même 1 nm...
