L'industrie des semiconducteurs est une sorte de mouvement d'ensemble où tout le monde doit avancer de concert pour atteindre ses objectifs. Que l'un manque à l'appel et ce sont les stratégies anticipées sur plusieurs années qui sont fragilisées.
Après avoir proposé la gravure en 7 nm, puis en 5 nm suivie de son évolution en 4 nm, l'industrie se prépare à accueillir les premiers composants gravés en 3 nm qui offriront de nouvelles progressions en termes de performance et de faible consommation d'énergie.
Un rapport évoqué par Digitimes suggère toutefois que la gravure en 3 nm chez TSMC souffrirait de problèmes de rendements qui risquent de la retarder. Pour sa gravure N3 initiale, le fondeur taiwanais est resté sur la technologie de transistors FinFET afin de gagner du temps et de conserver ses gros clients, quand son concurrent Samsung proposera du GAAFET plus adapté à une telle finesse.
Du retard dans la mise en service de la gravure N3 pourrait avoir un impact sur le calendrier de lancement des prochaines générations de processeurs et de cartes graphiques.
Il pourrait même les obliger à rester sur le noeud supérieur avec des conséquences pour leur stratégie et leurs roadmaps. Digitimes cite le cas d'AMD qui va utiliser la gravure en 5 nm de TSMC pour son architecture CPU Zen 4 en fin d'année et qui a planifié de basculer au 3 nm pour Zen 5 et l'architecture graphique RDNA 4.
Il semble tout de même un peu tôt pour craindre de voir ces architectures obligées de rester sur les noeuds 5 et 4 nm. Dans le même temps, Samsung serait aussi à la peine pour finaliser sa gravure en 3 nm mais dans son cas, c'est la nouveauté du procédé qui demande une attention particulière.
